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产研前线
“混合动力学”突触硬件单元,突破传统SNN性能瓶颈
该研究攻克了传统类脑计算硬件在复杂高频噪声环境下学习效率低、缺乏频率自适应性的关键科学难题。
北京大学集成电路学院
13h前
手性反铁磁序,实现零场完全翻转
该研究为开发兼具超高密度、超快读写和低功耗特性的新一代磁存储奠定了技术基础。
清华大学
02/26
突破“内存墙”关键一步!纳米级MoS₂忆阻器集成到CMOS芯片
研究团队在19个独立器件上验证了稳定的低压存储切换。
半导纵横
02/26
核光钟真空紫外光源,研制成功
核光钟研制的核心瓶颈被攻克!
国家自然科学基金委员会
02/25
刷新记录!电致发光二极管外量子效率提升至42.9%
该研究不仅刷新了器件外量子效率纪录,更实现了制备工艺的极大简化。
复旦大学微电子学院
02/12
AI出手,半导体模拟版图设计效率拉满
模型生成的版图中,有96.6%同时通过了设计规则检查与版图原理图一致性验证。
半导纵横
02/12
常压镍基超导薄膜La₃Ni₂O₇的基本特征和物理图像
源于费米面的嵌套效应,薄膜系统有可能存在自旋密度波(SDW)和较强的磁响应,可以被实验所探测。
磁电物性分析与器件重点实验室
02/09
基于忆阻器的存算一体常微分方程求解器
该系统基于实际流片的忆阻器芯片,结合PCB与FPGA搭建了端到端的应用演示平台,全面验证了其在典型ODE求解任务中的优越性能。
北京大学集成电路学院
02/09
突破铁电晶体管微缩的三重困境
该研究突破了铁电材料制备与铁电器件性能极限,为下一代高性能、低功耗芯片技术提供了全新的材料平台与集成方案。
国家自然科学基金
02/06
面向工程应用的纳米孔石墨烯分离膜结构
该纳米孔石墨烯复合膜表现出优于传统聚合物膜的线性响应特性(R²达99.9%),并在长达672小时的连续运行中保持稳定工作。
北京大学集成电路学院
02/05