新型半导体仅有少数分子层厚度，并且可以反复受光调控改变自身特性。

碳化硅的潜力将进一步被激发。

研究人员用重同位素氘替换氢，在8英寸晶圆上通过低温工艺制备低损耗氮化硅波导。

目前研究团队正将这套工艺应用到各类器件中，包括LED以及电动汽车所用晶体管。

这项技术的关键在于微光梳的生成方案。

这款薄膜可以在同一层同时实现低k绝缘与铜阻挡两大功能。

该研究不仅提升了存储密度，还解决了3D器件中长期存在的稳定性难题。

它已经为解决半导体量子计算机规模化的核心工程难题，指明了一条原生材料层面的技术路线。

让材料极速升温和极速冷却，把通常会消失的晶体结构冻结保留下来。

研究团队将研制超高精度NV量子传感器原型、大面积磁场测绘系统；同时为面向快速变化电磁场环境的传感器阵列打下技术基础。