通过精准控制二维半导体中光的产生与损耗机制，大幅提升了器件性能。

传统方法通常需要借助强光场改变软物质的折射率等材料特性，而新方法将所需能量降低了百倍以上。

该芯片每秒可投射6860万个独立光点。

为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。

该器件功耗仅为闪存盘等传统存储设备的百分之一，存储容量却更高。

研究从激发光优化与系统噪声抑制两个维度出发，采用了创新的技术方案。

基于制备环境调控的原位氧化还原策略，在室温条件下实现了碲基氧化物薄膜的本征p型掺杂与空穴输运调控。

该研究构建出一种兼具低光学损耗和线性电光（Pockels）调制的新型光电平台。

二维材料氯氧化铬（CrOCl）在芯片制造中性能远超传统硬掩模。

通过将光子集成电路与电磁超表面相结合，成功实现了支持不同频段移动系统的并行无线通信架构。