300F软包双电层电容器在25°C至−80°C范围内可稳定运行。

VCO-based ADC芯片实现了最高2.5 GS/s采样速率的高性能数据转换。

研究团队揭示了斯格明子的新细节与特性。

在测试条件下，线偏振—圆偏振转换效率达68%，超过传统方法的理论极限。

通过精准控制二维半导体中光的产生与损耗机制，大幅提升了器件性能。

传统方法通常需要借助强光场改变软物质的折射率等材料特性，而新方法将所需能量降低了百倍以上。

该芯片每秒可投射6860万个独立光点。

为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。

该器件功耗仅为闪存盘等传统存储设备的百分之一，存储容量却更高。

研究从激发光优化与系统噪声抑制两个维度出发，采用了创新的技术方案。