三星Kairos计划曝光：器兴新厂锁定2nm和4nm工艺

最近，三星电子做出了一个打破行业常规的决策。在全球AI存储竞争白热化的当下，行业内扩产HBM的常规做法是在平泽、华城这类已经成型的核心存储基地，直接新建DRAM产线来提升产能。但三星反其道而行之，选择落脚在器兴这个“老根据地”，拆除园区内的综合技术院（SR5）和工科大学（CDI），腾出土地用来建设一座主打2nm和4nm工艺的全新先进晶圆代工厂。

据悉，这个项目的代号定为“KAIROS”，取名自希腊神话里的“机会之神”。按照规划，这座新工厂将参照平泽新厂的建设框架，分为4个生产区（phase）逐步推进建设，整体建筑群由Kairos主综合体、配套绿色建筑与专用变电站组成，项目的工程、采购与施工（EPC）全流程则交由三星E&A全权承接。对于三星来说，这不是一次普通扩产，而是要把存储与代工两条产线，重新装进同一个园区。

资料显示，器兴园区于1983年正式启用，是三星半导体事业的真正起点。1984年园区内1号产线建成投产后，后续落地的6号线以8英寸晶圆为主，量产图像传感器、显示驱动IC与功率半导体产品；S1线则是专门的12英寸System LSI产线，主打手机应用处理器与车载SoC的研发生产。三十多年里，这片园区跑的基本是几十纳米到几百纳米的成熟制程，1992年全球首款64Mb DRAM的攻关，就发生在该园区内的综合技术院。而KAIROS项目的核心目的，是把最顶尖的先进制程产能，直接嵌入这片以成熟制程为主的传统土地上。

器兴园区1号线工厂（照片由三星电子提供）

HBM的基础架构，由DRAM核心晶粒与逻辑基底晶粒（Base Die）垂直堆叠构成。其中，核心晶粒承担存储职能；基底晶粒负责数据传输控制、电源与信号的全链路管理。在过去几代HBM的量产体系里，基底晶粒大多采用成熟制程生产。但现在，这套行业默认的分工逻辑，在HBM4时代被彻底打破了。HBM4的基底晶粒必须使用4nm代工工艺生产，后续升级的HBM4E也延续了这一制程标准。

今年2月，三星的标准版HBM4完成了全球首发量产，其基底晶粒正是依托自家4nm工艺制造；其计划明年推进量产的HBM4E，基底晶粒依然沿用4nm制程；更远期规划的第八代产品HBM5，基底晶粒制程将进一步细化到2nm——这也直接解释了KAIROS项目为什么同时布局2nm和4nm两条先进制程线，从当前主力产品到下一代迭代产品的基底晶粒产能需求，都能在这座新工厂里得到覆盖。

据高盛测算，全球HBM需求将从2026年的47.2亿GB增至2028年的97.1亿GB；市场规模将由557亿美元扩至1163亿、1684亿美元；2027年增速有望达到108%；同时预计三星出货量将从2026年的约15亿GB升至2028年的约35亿GB，年均复合52%，快于SK海力士的37%。需求每年翻倍，供给只按五成爬坡，缺口最终只能由价格与配给来填。

另外，三星在2026年三季度财报会上表示，2027年HBM产能已按目标价全部售出，大客户追加需求仍在涌入；公司已与10家客户签长期协议、还有10家在谈，计划锁定60%至70%的产出；2028年DRAM供应仍将紧张。HBM4三季度销售额环比增长超3倍，占HBM营收的60%。当产能被预订到两年之后，扩产就不再是“要不要”的问题了，而是“能不能跟上”。

当前，三星HBM4的核心晶粒主要在华城、平泽两大核心存储基地的专属DRAM产线上量产，但4nm基底晶粒的产能只能依托两地通用逻辑产线的部分富余产能来挤出。这种产能分配模式存在一个隐患：当全球AI算力需求爆发带动HBM订单暴涨、核心晶粒产能快速爬坡时，基底晶粒的供给节奏根本无法同步跟进，直接成为整个HBM产业链的结构性风险点。

而落地器兴园区的KAIROS工厂，核心定位就是精准拆解这一卡脖子风险。它直接把4nm基底晶粒的产能，从“在通用产线里挤零散产能”升级为“专属独立晶圆厂”，让基底晶粒的产出节奏完全对齐华城、平泽的核心晶粒扩产速度。从此HBM的整体产能扩张，再也不会被逻辑基底这个过去被所有人忽略的“配角”环节，卡在供给弹性的瓶颈上。

如今，HBM的竞争正从“谁的DRAM堆得更高”转向“谁的逻辑基底造得更稳、更早、更便宜”。三星把存储与代工的边界，在一片旧厂区里物理性地抹掉：用4个生产区和一条2nm的伏线，赌下一代HBM的胜负手不在堆叠层数，而在那颗基底晶粒上。