
三星在美国的晶圆制造布局迎来新进展。
近日,据报道,三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆厂(Taylor Fab 2)将生产供应AMD和英伟达的高带宽存储器(HBM)基础裸片。工厂规划产能已全部获得订单,其中AMD订单占比较高。三星尚未确认具体客户信息,因此相关订单情况仍以媒体披露为准。
按照规划,泰勒二厂将采用先进的2nm工艺,计划于2026年11月正式动工,2029年2月开始导入生产设备,预计2030年进入量产阶段。这座尚未正式投产的晶圆厂,已经提前获得来自头部AI芯片厂商的需求支撑。
据悉,泰勒二厂规划面积约270万平方英尺,折合约25万平方米,约为泰勒一厂的1.5倍。工厂此前已开展场地准备工作,计划于2026年11月正式启动建设,2029年2月开始导入生产设备,目标在2030年实现量产。
这意味着,从开工到量产仍有数年时间。对于晶圆代工厂而言,客户订单会影响产线工艺选择、设备配置和产能规划。泰勒二厂在建设初期便获得订单,有助于三星提前明确产能用途。其中,AMD相关订单占比较高,意味着该项目的早期产能已有较明确的客户需求。
三星计划在泰勒二厂制造HBM基础裸片,再与韩国生产的DRAM芯片结合,完成HBM产品制造。泰勒一厂此前已获得特斯拉订单,二厂则切入AI存储供应链,也让三星美国晶圆代工业务获得新的客户和产品方向。
HBM通常由多层DRAM芯片堆叠构成,并通过先进封装与GPU等计算芯片连接,以满足AI训练和推理对高带宽、大容量内存的需求。基础裸片位于堆叠结构底部,承担逻辑控制和接口连接等功能,负责协调DRAM堆栈与外部处理器之间的数据传输。
随着HBM向更高带宽、更低功耗和更大容量发展,基础裸片也需要承担更多功能。其设计和制造工艺会影响数据传输效率、功耗以及整体性能,因而逐渐成为HBM供应链中的关键环节。相较于主要负责存储数据的DRAM裸片,基础裸片包含更多逻辑电路,对先进逻辑制程的需求也更高。
三星已经在HBM基础裸片上导入先进工艺。今年2月,三星宣布开始量产HBM4,采用1c DRAM和4nm逻辑基础裸片。三星公布的数据称,HBM4标准传输速度达到11.7Gbps,最高可提升至13Gbps,单堆栈带宽最高达到3.3TB/s。
泰勒二厂计划采用2nm工艺,量产时间则在2030年。考虑到当前HBM4仍采用4nm逻辑基础裸片,泰勒二厂更可能面向后续代际HBM产品,为未来性能提升预留制造能力。需要区分的是,泰勒二厂的2nm规划并不意味着三星当前HBM4已经转向2nm基础裸片。
从客户结构来看,AMD是泰勒二厂目前最重要的订单来源。据报道,工厂已锁定全部规划产出,其中大部分来自AMD,现有订单规模也使产能安排较为紧张。对三星晶圆代工业务而言,这类订单能够为先进制程产线提供需求支撑,并进一步扩大其与美国大型芯片企业的合作。
英伟达也出现在相关订单消息中,但具体产品和制造安排仍有复杂之处。此前有报道称,英伟达正在推动定制化HBM(NVHBM)基础裸片采用统一制造标准,并要求相关存储供应商使用台积电3nm工艺生产,以减少不同供应商产品之间的性能差异,降低验证工作量。
在这一安排下,三星需要与台积电合作完成相关基础裸片制造。不过,三星也在评估使用自有晶圆代工工艺生产NVHBM基础裸片的可能性,以应对未来台积电产能不足的情况。
标准HBM与定制化HBM可能采用不同的制造合作方式。因此,泰勒二厂所承接的英伟达相关需求,具体对应哪些HBM产品和制造方案,目前仍不能简单下结论。三星方面也尚未正式公布客户名单及具体订单情况。
泰勒二厂获得订单的消息,也让三星在美国的晶圆制造布局受到更多关注。
三星早在2021年便公布了在美国泰勒建设晶圆厂的计划,泰勒一厂主要面向先进制程芯片代工业务,此前已经获得特斯拉订单。如今,泰勒二厂继续引入AMD和英伟达相关HBM基础裸片需求,三星在美国的客户结构进一步扩大。
今年7月,三星在财报电话会议上曾表示,计划于2026年底前启动泰勒二厂建设,目标在2030年开始生产。同时,随着客户对先进制程需求增加,公司也在根据订单和客户沟通情况评估未来产能安排。
从目前的安排来看,泰勒一厂和二厂承担的业务方向有所区别。一厂已有特斯拉订单支撑,二厂则将重点布局HBM基础裸片制造。对于三星晶圆代工业务而言,来自AMD、英伟达等头部芯片企业的订单,有助于提升先进制程产线的客户覆盖度。
对于三星来说,泰勒二厂接下来的重点是按计划推进建设,并完成2nm工艺的导入和验证。按照目前规划,工厂将在2029年开始导入设备,2030年进入量产。AMD、英伟达相关产品的导入进度,也将影响新工厂后续的产能释放。
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