HBM4量产，预计延期至2026年第一季末

根据TrendForce最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激英伟达前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。

TrendForce表示，SK海力士、三星电子、美光皆已重新送样其HBM4产品，并持续调整设计，以回应英伟达更严格的规格要求。与竞争对手相比，三星电子的HBM4率先采用1Cnm制程，在base die更采用自家晶圆代工厂的先进制程，未来将能支持相对高速的传输规格，可望成为第一个通过验证的供应商，后续在Rubin高规格产品的供给上占据优势。SK海力士则因HBM合约已经谈妥，预期在2026年的供应位元上仍占有绝对优势。

英伟达产品策略改变是另一项影响HBM4验证进度的重要因素。由于AI带动2026年上半年Blackwell系列产品需求大幅成长，英伟达上调上半年B300/GB300出货目标并上修HBM3e订单，且同步调整了Rubin平台量产时程表，三大HBM供应商因此获得额外调整HBM4产品的时间。依照目前验证情形来看，预计各家HBM4量产的时间点最快将落于2026年第一季末至第二季之间。

三星电子联席CEO兼芯片负责人全永铉在新年致辞中表示，客户称赞了其下一代高带宽内存芯片，即HBM4的差异化竞争力，称“三星回来了”。并补充说公司仍需努力进一步提高竞争力。

去年底，业内人士透露，三星电子下一代高带宽内存HBM4，在英伟达计划推出的新一代人工智能加速器相关测试中，斩获了最高评价分数。在此次评测中，三星在运行速度与能效表现两项核心指标上，均位列一众内存厂商之首。这一测试结果让外界对三星顺利通过英伟达 HBM4 产品质量认证、并于2026年上半年正式启供抱有更高期待。业内人士预计，双方有望在2026年一季度正式签署供货协议，并于二季度启动规模化交付。有分析认为，英伟达对三星HBM4的采购需求量，远超三星内部此前的预期规模，这或将为三星带来可观的业绩提振。

SK海力士CEO郭鲁正在新年致辞中表示，由于人工智能芯片需求的出现速度快于预期，公司受益于有利的外部环境。他表示竞争正在迅速加剧，并指出AI需求现在已是既定事实而非意外惊喜，2026年的商业环境将比去年更严峻，同时强调需要继续进行更大胆的投资和努力以备战未来。

去年底，SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月，将于今年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。产能方面，该工厂初期规划约为1万片，预计到2026年底将提升至数万片。相关人士透露：“设备投入和安装工作正在进行，计划已进行调整，以实现更快、更大规模的量产。”值得一提的是，M15X又被称作“HBM4专用工厂”，业内人士认为，此次加速生产表明了SK海力士对HBM4供应的信心。

而美光方面则计划于今年大规模扩建HBM4生产线。知情人士称，美光计划在今年将HBM4的产能提升至每月 1.5 万片晶圆的规模。据估算，美光目前的HBM总产能约为每月 5.5 万片晶圆，1.5 万片的产能规模占到其总产能的 30%，这意味着美光将把相当大的精力集中于HBM4的出货工作。

一位熟知美光情况的行业相关人士表示：“美光为了能在初期供货阶段就快速响应市场需求，正在扩充产能，相关设备投资已经启动。”