涉及半导体设备，中国台湾预修改出口管制清单

11月17日，中国台湾预告修改战略性高科技货品出口管制清单，新增管制项目共18项，包括高端3D打印设备、先进半导体设备、量子电脑等三类，中国台湾厂商若欲出口，须事先向中国台湾贸易署申请战略性高科技货品输出许可。

根据经济部公告的附件文档《新旧版对照表》，我们整理了部分新增的、与半导体相关的修正条目。

修正条目3A901为新增，3A901 3A001 未指定的电子产品，如下：a. 互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，未在 3A001.a.2 中指定，设计用于在等于或低于（优于）4.5K（-268.65°C）的环境温度下运行。技术注解：就 3A901.a 而言，CMOS 集成电路也称为低温 CMOS 或低功耗 CMOS。

b. 参数信号放大器具有以下所有特征：b.1. 设计用于在低于 1K（-272.15°C）的环境温度下运行；b.2. 设计用于在 2GHz 至 15GHz（含）的任何频率下运行；且b.3. 在 1K（-272.15°C）下，2GHz 至 15GHz（含 15GHz）的任何频率下，噪声系数均小于（优于）0.015dB。注解：就 3A901.b 而言，参数信号放大器包含行波参数放大器（TWPA）。技术注解：就 3A901.b 而言，参数信号放大器也可称为量子限制放大器（QLA）。

修正条目3B903为新增，3B903扫描电子显微镜（SEM）设备，专为成像半导体设备或集成电路而设计，具备下列所有特性：a. 载物台放置精度小于（优于）30 nm；b. 使用激光干涉测量法进行载物台定位测量；c. 基于激光干涉仪长度测量的视场（FOV）内位置校准；d. 撷取并储存大于 2×10⁸像素的影像；e. 垂直和水平方向 FOV 重叠小于 5%；f. FOV 拼接重叠小于 50 nm；和g. 加速电压超过 21 kV。

注解 1：3B903 包括专为晶片设计恢复而设计的SEM设备。

注解 2：3B903 不适用于设计用于接受半导体设备和材料国际（SEMI）标准晶圆载体的 SEM 设备，例如 200 毫米或更大的前开口统一 Pod（FOUP）。

修正条目3B904为新增，3B904低温晶圆探测 “设备”，具备下列所有特性：a. 设计用于在低于或等于 4.5 K（-268.65 °C）的温度下测试装置；和b. 设计用于容纳直径大于或等于 100 毫米的晶圆。

修正条目4A906为新增，量子计算机及相关 “电子组件” 及 “零件”。

a. 量子计算机，如下：

• 支持 34 个或更多但少于 100 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 10⁻⁴；

• 支持 100 个或更多但少于 200 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 10⁻³；

• 支持 200 个或更多但少于 350 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 2×10⁻³；

• 支持 350 个或更多但少于 500 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 3×10⁻³；

• 支持 500 个或更多但少于 700 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 4×10⁻³；

• 支持 700 个或更多但少于 1100 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 5×10⁻³；

• 支持 1100 个或更多但少于 2000 个 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机，且 “C-NOT 错误” 小于或等于 6×10⁻³；

• 支持 2000 个或更多 “完全控制”、“连接” 和 “运作”“物理量子位元” 的量子计算机；

b. 为 4A906.a 规定的项目 “特别设计” 的量子位元设备和量子位元电路；

c. 为 4A906.a 规定的项目 “特别设计” 的量子控制元件和量子测量装置；

注解 1：4A906 适用于电路模型（或基于闸的）和单向（或基于测量的）量子计算机。本项目不适用于绝热（或退火）量子计算机。

注解 2：4A906 指定的项目不一定实际上包含任何量子位元。例如，基于光子方案的量子计算机不会永久包含可识别为量子位元的实体项目。相反，光子量子位元是在计算机运行时产生的，然后被丢弃。

注解 3：4A906.b 指定的项目包括半导体、超导和光子量子位元晶片和晶片阵列；表面离子阱阵列；其他量子位元限制技术；以及这些项目之间的连贯互连。

注解 4：4A906.c 适用于设计用于校准、初始化、操作或测量量子计算机的常驻量子位元的物品。

技术注解：就 4A906 而言：

• “物理量子位元” 是一种两级量子系统，用于透过未纠错的操作和测量来表示量子逻辑的基本单位。“物理量子位元” 与逻辑量子位元的差别在于，逻辑量子位元是由许多 “物理量子位元” 组成的纠错量子位元。

• “完全控制” 意味着 “物理量子位元” 可以根据需要进行校准、初始化、闸控和读出。

• “连接” 意味着可以在任意一对可用 “运作”“物理量子位元” 之间执行双量子位元闸操作。这并不一定需要全面的连结。

• “运作” 是指 “物理量子位元” 依据量子位元操作保真度的系统规格执行通用量子计算工作。

• 支持 34 个或更多 “完全控制”、“连接”、“运作”“物理量子位元” 是指量子计算机限制、控制、测量和处理 34 个或更多 “物理量子位元” 所体现的量子资讯的能力。

• “C-NOT 错误” 是最近邻的两个 “物理量子位元” 受控非（C-NOT）闸的平均物理闸错误。

修正条目3C907为新增，3C907 具有至少一个以下任一外延生长层的「基板」组成的外延材料：a. 硅同位素杂质少于 0.08% 的硅同位素，而非硅 - 28 或硅 - 30；或b. 锗的同位素杂质少于 0.08%，但不包括锗 - 70、锗 - 72、锗 - 74 或锗 - 76。

修正条3C908 为新增，3C908 含有下列物质的硅或锗的氟化物、氢化物、氯化物：a. 硅同位素杂质少于 0.08% 的硅同位素，而非硅 - 28 或硅 - 30；或b. 锗的同位素杂质少于 0.08%，但不包括锗 - 70、锗 - 72、锗 - 74 或锗 - 76。

修正条目3C909为新增，3C909 硅、氧化硅、锗或氧化锗，具备下列任一特性：a. 硅同位素杂质少于 0.08% 的硅同位素，而非硅 - 28 或硅 - 30；或b. 锗的同位素杂质少于 0.08%，但不包括锗 - 70、锗 - 72、锗 - 74 或锗 - 76。

注解：3C909 包括「基材」、块、锭、晶锭和预制件。

说明：对于具有富含同位素的硅（Si）或锗（Ge）同位素层的材料，请参阅 3C907。