SK海力士HBM4拟10月左右开始全面量产

据报道，为了响应HBM4主要客户NVIDIA的提前生产要求，SK海力士第六代12层HBM4生产计划已从2026年上半年大幅提前，预计将于10月左右开始全面量产。

据此前报道，3月19日，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced   MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量，I/O接口速度达8Gbps，带宽可提高至2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据SK海力士介绍，4月在台积电北美技术论坛上展示的16层堆叠HBM4具有高达  48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK  海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。

SK海力士已经稳固了Nvidia AI半导体“Blackwell”系列HBM3E的主要供应商地位，并且有望在全球率先供应预定于今年年底量产的下一代HBM4样品，从而继续保持领先地位。截至去年第四季度，HBM 占 SK 海力士 DRAM 总销售额的 40% 以上。