三星激进投资HBM4，押注1c DRAM

三星电子正在加倍巩固其在先进内存技术领域的领先地位。继平泽工厂的最新进展之后，业内消息人士透露，三星还计划在其华城园区建立一条第六代1c DRAM的量产生产线。投资预计将于最早于2025年底开始。韩国行业分析师将此举解读为三星对其良率提升能力日益增强的信心。

1c DRAM：HBM4 的核心

此次加速的核心在于三星力争在人工智能内存的下一个前沿领域——HBM4，占据领导地位。HBM4采用三星第六代10纳米级工艺制造，是其高带宽内存架构的基础组件。

由于HBM3E的商业化进程遭遇重重阻碍，三星目前正在重新定位，力图在由SK海力士和美光主导的高端内存领域重拾增长势头。这两家竞争对手仍在继续依赖略逊一筹的1b工艺，而三星则在大力推进技术要求更高、但可能改变游戏规则的1c工艺。

从试点到生产：分阶段的投资轨迹

三星于今年早些时候在其平泽4号线（P4）工厂启动了1c DRAM的生产，初始产能约为每月3万片晶圆。该战略是专注于初期产量，然后随着开发成熟度的提高而扩大投资。

目前计划是在2025 年下半年将 P4 的月产能提高至少 40,000 片晶圆。同时，三星正准备将其华城 17 号线（目前生产传统 1z DRAM）转换为 1c DRAM 制造，并可能在年底前启动。

此次转变是继华城15 号和 16 号生产线先前进行的 1b 转换之后的又一次转变，标志着全面实现 DRAM 生产资产现代化的更广泛路线图。

据投资证券分析师称，三星的1c DRAM工艺已重新开发，步骤更多，但技术难度降低。该公司报告称，三星的目标是在6月份之前实现40%的良率，这是量产准备的关键里程碑。

虽然SK 海力士已经向主要客户交付了 HBM4 样品，但三星成功将基于 1c 的 HBM4 推向市场可能会颠覆当前的竞争态势，恢复其技术优势。

来源：SK海力士

与台积电战略合作

三星电子的战略转变凸显了先进内存技术日益复杂的特点，目前，三星电子正与台积电合作，生产其下一代HBM4 芯片的基础芯片。

三星此前曾自行生产HBM3E的这一关键部件。然而，HBM4更高的技术要求促使这家韩国科技巨头寻求外部支持。通过与台积电的早期合作，三星旨在与英伟达严格的集成标准保持一致，并避免HBM3E推出时出现的延误。

此举表明三星在与SK 海力士和美光争夺高带宽内存市场领导地位的过程中重新注重执行。

HBM4，明年下半年成为主流

市场研究公司TrendForce 最近分析称，受人工智能 (AI) 强劲需求的推动，明年 HBM 总出货量将超过 300 亿千兆比特 (Gb)。

TrendForce分析，人工智能（AI）服务器的需求正在加速HBM技术的发展，主要HBM供应商正在积极推动第6代HBM4产品路线图。

由于产量的增加，HBM4的市场份额预计将稳步增长，并在明年下半年成为主流产品，超越目前的主力第五代HBM3E。

据悉，Nvidia的下一代图形处理单元（GPU）“Rubin”和AMD的下一代AI芯片“MI400”系列都将可能搭载HBM4。

SK海力士于3月份在业界率先向NVIDIA等大客户提供HBM4样品，并计划于今年下半年开始量产。英伟达首席执行官黄仁勋20日惊喜造访了Computex 2025上SK海力士的展位，并表示“请好好支持HBM4”。这使得人们认为 SK Hynix 将能够毫无问题地向 Nvidia 供应 HBM4。

HBM4芯片设计复杂，制造难度大。随着 I/O（输入/输出）端子数量和芯片尺寸的增加，该产品需要高水平的技术。 TrendForce 表示，“HBM4 的 I/O 数量较上一代增加了一倍，从 1024 个增加到 2048 个，而数据传输速度则与 HBM3E 保持同一水平，超过 8.0 千兆位每秒 (Gbps)”，这意味着数据处理量在相同速度下增加了一倍。

由于设计难度高，生产成本预计也会上升。TrendForce表示，“HBM3E的价格溢价率为20％，但由于制造难度较高，HBM4预计溢价率为30％。” TrendForce还观察到，即使HBM4成为主流，目前主导HBM市场的SK海力士仍将保持领先地位，市场份额超过50%。

TrendForce指出，“三星电子与美光需要进一步提升良率与产能，以缩小在HBM4竞争中的差距。”