
近日,芯联集成发布公告,公司已完成对合资公司芯联先进的全部认缴出资,累计实缴注册资本达21.29亿元。出资落地后,芯联集成持有芯联先进25.1%股权,成为其第一大股东。这笔资金将专项投向芯联先进四期项目,该项目规划建设一条月产能5万片的12英寸车规级数模混合芯片产线,面向汽车电子、工业控制、光通信等赛道,补齐国内高端车规模拟芯片供给短板。
根据公告信息,芯联先进四期项目总投资约200亿元,项目资本金合计120亿元,芯联先进作为项目唯一实施主体推进建设。芯联集成承担的出资份额现已全额到位,剩余资本金将由其余合资各方按照认缴计划逐步落实。项目资金将重点用于厂房土建、洁净车间改造、核心半导体设备采购与安装等工作,为12英寸产线落地提供资金支撑。本次实缴出资完成,标志着项目资本金的重要一块正式到位,为后续工程建设、设备招标进场奠定基础,推动项目从规划阶段进入实质建设周期。
芯联先进四期项目主打高端数模混合与模拟芯片,布局多条成熟特色工艺平台,覆盖40/28nm MCU/DSP、90/55nm BCD/DrMOS以及55nm硅光工艺,产品全部面向车规标准,需要通过AEC-Q100车规可靠性认证,技术布局兼顾汽车电子与光通信两大高增长市场。其中40/28nm MCU、DSP芯片是车载控制核心器件,广泛用于车身控制、车载域控以及工业自动化场景。汽车MCU承担整车信号采集、指令调度等功能,随着新能源车、智能座舱的普及,单车搭载MCU数量持续提升,市场长期存在供给压力。
90/55nm BCD、DrMOS工艺则聚焦电源管理芯片,是新能源汽车电驱、车载电源、车载充电系统的核心工艺。新能源车高压平台、车载DC-DC、OBC车载充电机,都高度依赖BCD工艺实现功率器件与控制电路单片集成。相比普通消费级电源芯片,车规BCD芯片对高低温稳定性、抗干扰能力、长期可靠性的要求显著更高,认证周期漫长,进入主机厂供应链壁垒很高。55nm硅光工艺则跳出汽车范畴,面向光通信与高速光互连,适配数据中心、AI算力场景下高速信号传输需求,与当前AI基础设施建设浪潮形成联动,实现车规与算力两条赛道协同布局。
产能规划上,四期项目建成后将新增月产5万片12英寸晶圆产能,核心目标是扩充车规级数模混合芯片产能,缓解国内高端车用模拟芯片产能缺口。公告暂未披露项目完整建设周期、设备进场节点以及正式投产时间。车规产线不同于普通消费芯片产线,除厂房与设备建设之外,还需要开展工艺开发、流片验证、可靠性测试、AEC-Q100认证、车企和Tier1客户送样认证等一系列流程,从产线通线到实现批量供货,往往需要较长时间。产能规划是远期目标,实际产能释放节奏,会受设备交付、工艺调试、客户认证进度多重因素影响。
从行业背景来看,新能源汽车与智能汽车产业持续扩张,带动车载模拟、功率控制芯片需求持续走高。车规芯片具备高认证门槛、长供货周期、长产品生命周期的特点,一旦进入主机厂供应链,订单稳定性较强。但车规芯片供给端扩张速度相对滞后,成熟特色工艺产能持续紧张,国内车企与Tier1厂商对本土化车规芯片供给诉求强烈。模拟芯片、数模混合芯片并不一味追求最先进的逻辑制程,40nm、28nm、55nm这类成熟特色工艺,恰恰是车载MCU、电源管理芯片的主力工艺节点,也是国内芯片产业链亟待补强的环节。
芯联集成本次通过合资平台大举布局12英寸车规产线,是公司在特色工艺赛道的重要延伸。芯联集成本身在模拟、功率器件、数模混合芯片制造领域已有积累,依托芯联先进这个平台,可以引入多方资本,分摊大额产线投资带来的资金压力。重资产晶圆制造项目投资规模巨大,单条12英寸产线资本开支门槛很高,采用合资模式有利于分散投资风险,汇聚产业资源。芯联集成作为第一大股东,在工艺开发、客户导入、运营管理层面发挥主导作用,同时其他合作方共同出资分担资本金压力,是国内特色工艺晶圆厂常见的落地模式。
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