半导体光刻设备使用的深紫外光学元件,在整个服役周期内可能会承受数十亿次激光脉冲轰击。这就带来了元件验证难题:仅依靠出厂初始反射率指标或是激光诱导损伤阈值,无法完整评估元件实际表现。
一面反射镜在出厂时各项光学指标达标,并且测试可以测出很高的激光诱导损伤阈值(LIDT)。但初始性能参数,无法反映它在长期承受高能深紫外激光脉冲照射之后,光学性能会发生多大变化。
OPTOMAN发布的测试结果显示:一款面向193nm工况的离子束溅射镀膜反射镜,在约100 mJ/cm² 能量密度下接受约50亿次脉冲照射,归一化反射率降幅仍低于0.5%,性能优于电子束蒸发镀膜反射镜。该测试结果并不代表深紫外光学元件通用寿命标准。但它说明,必须把累积脉冲辐照,和初始性能、灾难性损伤分开评估。
反射率表征激光反射镜对光束的反射能力,直接关系激光系统损耗,最终影响整套系统效率。而激光诱导损伤阈值(参考ISO标准83937)回答的是另一个问题:按照既定测试方法,在哪种条件下激光会造成元件损伤。
两项指标都很关键,但二者都无法直接衡量元件在数十亿次脉冲下的长期稳定性。经过长时间深紫外激光辐照,光学元件性能会逐步改变:反射率下降、吸收率上升,进而影响波前性能、热效应以及其他关乎整套系统表现的参数。
激光光学领域的相关研究也指出,设备运行过程中,除了发生肉眼可见的损伤扩大,还会出现功能性光学性能劣化。采用不同波长、不同脉冲条件得出的数值结果,不能直接套用在193nm半导体系统上,不过这套广义验证思路依然适用。
灾难性损伤只是光学性能的其中一项限制条件。针对半导体设备,有三项测量指标尤其重要:
初始性能:元件全新状态下是否满足规格指标。
抗损伤能力:发生损伤时对应的工况条件。
寿命稳定性:长期辐照之后,性能发生多大程度的偏移。
OPTOMAN的寿命测试,是直接衡量长期光学稳定性的实例。这面离子束溅射镀膜深紫外反射镜,在193nm、约100 mJ/cm² 条件下经受约50亿次脉冲。测试结束,归一化反射率下降不到0.5%;镀膜没有出现灾难性损伤,在经历巨量累积辐照后,反射率依旧接近初始水平。

图1:电子束溅射氟化物镀膜与离子束溅射氧化物镀膜在193nm附近的反射光谱。
数十亿次脉冲条件的测试,和早期针对193nm光刻光学元件的相关研究结论能够互相印证。有研究对熔融石英样品开展最高400亿次脉冲辐照实验,用来观测只有在长时间照射后才会显现出来的性能变化。
但这不代表50亿次或400亿次脉冲是通用的设备寿命目标。脉冲次数不能孤立看待;能量密度、脉冲宽度、重复频率、光束特性、材料本身、环境条件,全部都会影响光学元件的响应表现。
OPTOMAN的实验结果,不能解读为所有深紫外应用都能保证50亿次脉冲寿命。它的价值,是给出特定累积辐照总量下光学性能的变化幅度,这是只做出厂初始反射率测试无法给到设备工程师的信息。
长期深紫外激光照射,还会改变基底材料以及整体光学响应。熔融石英相关研究证实,激光辐照会引发材料致密化,改变折射率和光程长度。还有多篇文献探讨了吸收率、热致波前形变与永久性材料改变之间的关联。
上述效应需要重视:光学元件不一定出现肉眼可见损伤,就已经开始对整套系统产生负面影响。性能变化可能体现为反射、透射、吸收、散射、波前性能的缓慢漂移。
对系统层面造成多大影响,取决于该元件所处位置。反射镜反射率下降,会改变抵达下游工艺的光功率;吸收增加会形成温度梯度;光程或者波前性能发生偏移,会提升校准工作量,压缩可用工艺裕量。
同样幅度的光学漂移,在设备的某一段光路尚可接受,换到另一段就会变成严重问题。激光光束传输系统往往包含十面以上反射镜,光束经过多个元件,各项性能偏移会叠加累积。经过十次性能已经劣化的反射镜反射之后,输出的激光光束就有可能不再满足光刻工艺要求。
因此,可接受的性能漂移阈值,应由整套光学系统的需求定义,而不是简单套用元件失效的通用标准。
针对深紫外半导体系统,光学元件验证可以分成三个阶段:
初始性能:元件全新状态下,反射率、透射率、吸收率、波前等指标必须满足规格。
抗损伤能力:设备正常工作工况,与标准方法测得的损伤阈值之间,要留有充足安全裕度。
寿命稳定性:在设备预期服役周期对应的累积辐照总量下,光学响应必须维持在允许公差范围内。
一份完整的寿命要求,需要综合考虑工作波长、能量密度、脉冲宽度、重复频率、累积脉冲数量、光束口径与光束轮廓、入射角、偏振态,以及允许的光学漂移范围。
环境条件同样不能忽略,尤其是污染、反复清洗会改变光学元件性能的场景。
性能允许的变化幅度,最终取决于元件在整机设备中承担的功能。同样0.5% 以内的反射率衰减,某条光路下完全在公差范围内,换到另一条光路就需要重点评估。核心判断标准是:该漂移会不会影响工艺窗口、校准工作量以及维护周期。
初始反射率:反映元件刚出厂的基准水平。
LIDT损伤阈值:给出特定条件下的损伤边界。
寿命测试:评估元件在中间数十亿次脉冲工况区间内的实际表现。
对于需要长期连续运行的半导体设备,累积脉冲辐照测试应当纳入元件验证流程。
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