三星晶圆代工：4nm满产，5nm订单增长

三星电子晶圆代工业务正在加大5纳米工艺的市场拓展力度。业内分析，热门的4纳米工艺产能已经触及上限，三星因此把5纳米作为替代方案向客户进行推介。

行业观察认为，三星晶圆代工4纳米工艺的产能到明年将处于满负荷状态。一位半导体业内人士表示：“三星电子HBM4高带宽存储器订单暴增，带动4纳米产线的稼动率大幅攀升，存储器部门已经成为晶圆代工业务最大的客户。”

另有消息称，美国英伟达用于推理的LPU（语言处理单元）产品Grok3的订单量也超出预期，进一步推高了4纳米工艺的产能占用。

在此背景下，对于寻求4纳米产能的客户，三星晶圆代工开始推荐5纳米作为替代选项。对于那些难以承受2纳米、3纳米工艺高昂成本的无晶圆厂（Fabless）芯片设计客户，三星将已经完成良率、性能验证的5纳米工艺，作为高性价比替代方案进行推广。

该业内人士称：“2‑3纳米先进工艺在良率与成本方面会给客户带来较大压力，而4纳米产线已经全部占满。三星正积极推介良率已经趋于稳定的5纳米工艺，不少Fabless企业也在积极评估该方案。”

5纳米工艺原本定位为车规专用产线。现代汽车计划2030年实现量产的ADAS高级驾驶辅助系统芯片、Bosch半导体SoC、Telechips车载应用处理器Dolphin7等产品，都将在车规专用工艺SF5A上进行生产。近期5纳米工艺的应用场景还拓展至服务器、高性能AI以及神经网络处理器（NPU）芯片领域。

另一位半导体行业业内人士表示：“5纳米工艺同样适合高性能服务器芯片的开发，海外多家Fabless企业接连完成技术授权签约。过去三至四个月，选择5纳米工艺的客户需求相比以往出现明显增长。”

台积电先进产线产能过载，叠加全球地缘因素，也成为利好三星5纳米拿单的积极因素。台积电3纳米、4纳米、5纳米产线供需紧张，部分芯片设计企业，为满足先进工艺需求同时规避相关管制，开始转向三星的5纳米产线。

三星晶圆代工的一位合作厂商人士透露：“面对美国相关管制，需要获得先进工艺性能的芯片设计企业，三星晶圆代工是很现实的选择。不少在台积电拿不到产能的中小订单客户，也被三星承接，5纳米工艺因此吃到不少红利。”

与此同时，在大力推进5纳米务实业务的同时，全球客户也在持续向三星咨询2纳米工艺的相关订单规划。半导体业内人士表示：“据了解，已经有不少客户向三星晶圆代工咨询2纳米工艺，当前的关键就在于把良率做上去。”

值得注意的是，三星电子计划更改正在器兴建设的下一代半导体研发（R&D）园区的用途，目前该产线基本确定将用于扩充晶圆代工产能。

NRD‑K是三星为抢占未来半导体技术而建设的尖端综合研发园区，计划到2030年投入约20万亿韩元，一共建成3条产线。其中第一条产线已于2024年末竣工。从今年开始，三星着手筹备建设NRD‑K 2号线。项目拆除了器兴园区内旧综合技术研究院建筑，目前正在开展场地平整等基础工程。三星近期正推进把这条产线用作晶圆代工辅助代工厂（Send‑Fab）的方案。辅助代工厂指接收其他量产产线流转过来的晶圆，专门代为完成特定工艺的配套工厂。

据悉，该产线拟重点生产供应英伟达的HBM所用2纳米基底芯片。基底芯片位于HBM内部多层堆叠DRAM核心芯片的下方，负责实现HBM与GPU等系统芯片之间的数据传输，是决定HBM性能的关键部件之一。

熟悉该项目的业内人士表示：“NRD‑K 2号线目标2028年下半年建成，现已基本确定用作晶圆代工厂。由于NRD‑K 2号线厂房规模相对偏小，将以辅助代工厂模式，助力扩充尖端半导体产能。”

不过行业观点认为，距离工厂投产还有大约两年时间，NRD‑K 2号线的用途仍存在再次变更的可能性。另一位相关人士称：“虽然三星内部已经接近敲定该方案，但距离真正下达设备采购订单（PO）还需要一段时间。半导体行情随时可能剧烈波动，因此不能排除具体投资方向和规模再度修改的可能。”