AI玻璃基板，决胜可靠性与量产

面向AI半导体封装的玻璃基板研发竞争正不断加剧。日韩厂商采用不同技术路线，试图解决封装尺寸持续增大、结构愈发复杂所带来的可靠性难题。

日本Shinko Electric Industries已展示出一款拥有22层铜布线的玻璃基板；韩国三星电机则联合Dongwoo Fine‑Chem开发玻璃核心技术。这场新兴行业竞争的重点，已不再仅仅是在玻璃上加工微型孔洞，而是厂商能否制造出高层数基板，并且这些基板在芯片组装与热处理过程中能够保持性能稳定。

Shinko在一块玻璃基板的两面各制作了11层铜布线。该公司还研发了一套工艺，用于解决名为SeWaRe的现象，也就是晶圆与配套材料发生分离。当ABF材料贴合到基板之后，该现象会引发层间剥离。这套工艺会在玻璃基板边缘涂布聚合物类保护材料。该材料可以分散原本会集中在局部区域的热应力，避免基板受热后出现材料分离。

如今AI处理器普遍在单个封装内部集成多颗计算裸片、小芯片以及高带宽内存（HBM），可靠性随之成为核心问题。封装尺寸变大后，传统有机基板很难控制翘曲问题。玻璃具备更高刚性与更低热变形特性，有望为大型AI封装提供更稳定的载体。

三星电机将玻璃基板视作新的增长业务，并与住友化学旗下韩国子公司、擅长玻璃加工的Dongwoo Fine‑Chem共同推进研发。双方于7月签署协议，成立合资企业GlaSSEM，专注于玻璃核心的研发、生产与销售。

按照合作安排，Dongwoo Fine‑Chem将输出大尺寸玻璃加工制造技术，三星电机则提供高层数、高密度封装基板的技术积累。三星电机也已经和客户开展产品验证工作，并和全球头部科技企业合作开发大尺寸、高层数玻璃基板，目标在大约两年后实现量产。

从公开披露的研发进展来看，日本供应商目前在部分关键技术上拥有先发优势。Shinko已经开发出玻璃通孔（TGV）工艺，以及在玻璃基板上制备多层绝缘层与铜布线层的相关技术。

Dai Nippon Printing同样在推进TGV玻璃基板的量产工作。该企业2025年12月在埼玉县久喜工厂搭建中试产线，2026年初开始向客户交付样品，计划在2028财年建成完整量产体系。

再看中国市场，京东方2020年启动玻璃基载板技术预研，2022年投资3.9亿元建设玻璃基/硅基兼容的晶圆级创新实验平台，2024年投资9.93亿元建设板级玻璃基封装载板试验线，并于2025年内完成主设备搬入调试。2026年上半年玻璃基封装载板试验线实现全自动化设备通线，设计产能1000片/月。

蓝思科技则与英特尔达成合作，将TGV（玻璃通孔）先进封装作为合作的重点方向，讨论和评估玻璃基板穿孔成型、高精度激光加工、金属化通孔沉积及多层互连布线等关键工艺。其中英特尔将提供说明性架构信息、可制造性设计（DFM）指南、基准测试方法和验证方法，而蓝思科技公司则是在TGV精密加工、微孔成型、金属化沉积及多层互连等工艺方面拥有长期技术积累。此外，蓝思科技最新透露已会同北美及韩国芯片头部客户联合开发及验证玻璃芯载板，验证进展顺利，并同步推进建设3万平TGV玻璃基板专用厂房。在技术侧，蓝思科技独创的激光诱导结合化学蚀刻成孔技术，使TGV玻璃基板的百万级通孔加工实现了0ppm的不通率，最小孔径达10μm。

当前决定行业竞争格局的，将不只是实验室演示成果，更取决于客户认证、生产良率以及产品可靠性。行业普遍认为，2028年前后将是关键节点，届时就能看出哪些供应商可以从样品阶段迈入稳定商业化生产。

各家企业的布局也不局限于玻璃基板。伴随数据中心需求增长，Shinko正在拓展光封装业务，同时参与NTT面向下一代光通信的IOWN项目。在原有封装和基板业务之外，该公司还在为共封装光学（CPO）开发光波导基板。这一业务扩张也体现出，玻璃与先进封装技术对于AI基础设施市场具备重要战略意义。随着封装尺寸不断增大、数据传输要求持续提升，基板厂商的竞争维度已经不止互连密度，还包括热稳定性、制造一致性，以及把新技术落地为可靠量产产品的能力。