中欣晶圆成功拉制12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉晶棒

来源：半导纵横发布时间：2026-08-07 17:15

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中欣晶圆顺利拉制出企业首根12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉晶棒。本次产出包含N型重掺砷、P型重掺硼两类产品，目标电阻率达到mΩ・cm级低阻区间，能够匹配高端功率器件外延衬底对于低电阻、高均匀性指标要求，进一步完善国产12英寸高端重掺硅片产品体系。

相较于市场主流的〈100〉、〈110〉晶向硅片，〈111〉晶向材料电学性能优势突出，适配高端功率半导体与AI相关芯片应用场景。但受晶体生长规律影响，该晶向长晶存在明显技术壁垒，容易产生管道缺陷、电阻率分布失衡、位错与孪晶等问题，热场设计、掺杂控制难度更高，工艺窗口狭窄。行业普遍采用CZ直拉法生产该类晶棒，重掺杂工况下还面临元素挥发、晶格畸变等多重难题。

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