历时四年多，韩企即将完成10nm DRAM TiN ALD关键设备开发

Eugene Technology已完成10纳米以下DRAM制程所用氮化钛（TiN）原子层沉积（ALD）设备的开发工作，正推进商业化落地。目前该细分市场基本被应用材料、泛林半导体等海外厂商垄断。Wonik IPS、Jusung Engineering等韩国本土竞品企业虽也研发出同类设备，但产品仍处于客户验证阶段。Eugene历时约4年9个月完成研发，现已临近商用阶段。

该公司表示，将于本月完成用于10nm以下DRAM电容电极薄膜制备的氮化钛ALD设备的开发。现阶段设备正在开展演示验证测试，以此校验整机工艺性能；测试会将带有精细电路图形的图形化晶圆送入设备，确认各项工艺指标是否达标。图形化晶圆指已经完成或走完半导体前段制程、带有精密立体线路结构的晶圆。

Eugene这款10nm以下TiN ALD设备的核心优势在于产能，整机产出效率是现有海外同类设备的两倍以上。企业称，设备采用多级腔室架构，可实现更高的每小时晶圆处理量（WPH）；同时自研设备零部件搭配专用化学材料工艺，实现了超高台阶覆盖率。

台阶覆盖率（Step Coverage）代表薄膜沉积能力：无论晶圆表面凹凸、立体沟槽结构如何，都能沉积厚度均匀的薄膜。若台阶覆盖率接近100%，就能在高深宽比三维结构的侧壁、底部均匀成膜。

一颗DRAM存储单元由晶体管与电容组成；电容用于储存电荷，结构上是导电电极薄膜包裹绝缘介质层，依靠绝缘层隔绝电流。这类电容沟槽结构窄而深，若电极膜、绝缘膜厚度不均或出现断层，会引发芯片缺陷、器件可靠性失效，因此高台阶覆盖率是该工艺的核心刚需。

原子层沉积（ALD）是化学气相沉积（CVD）技术的分支，通过分步化学反应，一层原子一层原子地生长薄膜。ALD具备自限制特性：一旦晶圆表面吸附饱和反应前驱体，再多通入前驱气体也不会继续增厚薄膜。该特性让工艺气体能够抵达深沟槽底部，不会堵塞狭窄开孔，实现保形沉积，尤其适配高深宽比立体结构。

Eugene优化了设备机械结构，实现前驱体气体均匀分布、尾气排放精准可控；同时完成节流阀、磁流体密封、电机驱动系统等ALD核心零部件国产化，经客户验证后全部搭载至整机。节流阀可精准调控沉积腔压力，磁流体密封件维持旋转轴处高真空环境。核心真空、机械部件国产化落地后，企业有望降低地缘冲突带来的供应链断供风险。

公司计划使用这款新设备对接韩国本土存储厂商开展设备认证测试，目标替代当前垄断10nm以下DRAM电容电极沉积市场的海外设备，抢占可观市场份额；同时依托同源技术拓展其他薄膜沉积工艺赛道。

业内人士表示：“10nm以下DRAM制程TiN ALD设备市场目前由泛林、应用材料等海外企业主导；Wonik IPS、Jusung Engineering等本土设备商虽推出竞品，但产品尚在验证阶段，暂无实质市场份额。”

随着DRAM工艺持续向10nm以下微缩，可精密沉积电容电极薄膜的ALD设备成为生产必备。Eugene自2021年启动该设备研发，对标Wonik IPS、Jusung Engineering等本土同行，满足头部存储芯片厂先进制程需求。