拿下独家订单！力积电供货英特尔EMIB硅电容

英特尔EMIB-T先进封装生态带动整条供应链订单需求旺盛，力积电依托12英寸集成无源器件（IPD）平台打入英特尔EMIB-T供应链，成为英特尔核心硅电容产品的独家供应商。力积电现有产能已被全部订满，公司因此启动扩产计划。与此同时，联电承接英特尔EMIB硅桥代工业务，订单需求同样火热。

业内人士指出，与传统的多层陶瓷电容（MLCC）相比，硅电容可以直接集成进封装，不仅缩短了电源路径，还有效提升了电源完整性，使其成为AI芯片和高速计算芯片不可或缺的组成部分。

硅电容采用半导体晶圆工艺制造，以硅片为基底，搭配氧化硅、氮化硅等薄膜介电材料。传统MLCC依靠陶瓷介质与金属电极交替堆叠形成容值，硅电容的制造逻辑则与半导体工艺高度契合；通过薄膜沉积、深沟槽结构、定制化封装等工艺，在提升单位面积容值的同时，最大限度降低寄生电感。

硅电容最核心的特质是极低等效串联电感（ESL），且可紧贴芯片摆放。AI GPU、CPU、专用芯片（ASIC）、HBM在高负载工况下，电流需求会在极短时间内剧烈波动；低ESL特性让电容能够快速补偿瞬时功耗波动，维持严苛的供电稳定性，这也是硅电容用于封装内近芯去耦的核心价值。

硅电容另一项突出优势是容值在高频、温度变化、直流偏置下的稳定性更优异。部分材质体系的MLCC在高直流偏置或高温环境中，容易出现容值衰减、参数异常波动；而硅电容依托硅基薄膜介质与精密半导体制程，容值与尺寸精度表现稳定，非常适合高密度贴装、高频快速响应、容值波动要求严苛的场景。

随着英特尔先进封装订单的强劲涌入，力积电的硅电容产能几乎全部被客户占据。在内部，力积电称其为“尽可能多地夺走”，并持续扩大产能以满足未来AI芯片和高端封装需求。业内人士认为，随着AI显卡、ASIC和高速网络芯片朝向更高功耗发展，硅电容器的需求预计将同步增长，成为力积电未来专业工艺开发计划的重要增长引擎，同时也有助于提升产品组合和盈利能力。

联电负责建立硅桥，这些是嵌入EMIB基板的关键组件。联电利用其成熟的12英寸工艺技术进入EMIB供应链，负责制造EMIB技术中的硅桥组件。行业分析指出，EMIB与传统大型硅中介体不同之处在于将小型硅桥嵌入封装基板，作为芯片间的高速互连桥。在降低成本的同时，EMIB仍具备高带宽、高密度信号传输能力。近年来，EMIB逐渐成为AI和高性能计算芯片的重要封装解决方案。

业内人士透露，联电目前在中国台湾和新加坡的12英寸工厂生产相关产品，供英特尔及其合作伙伴使用。随着EMIB应用范围的不断扩大，相关订单也在稳步增加。由于EMIB能够降低大型硅介体的成本，并帮助缓解CoWoS先进封装的紧张容量，多芯片AI芯片架构的发展趋势推动了对未来需求的乐观态度。