三星V9扩供英伟达，V10启动出货

随着AI推理催生大容量企业级存储需求，三星电子正将与英伟达的合作拓展至NAND闪存领域。消息人士透露，三星已向英伟达增加供应第九代V-NAND（V9）闪存，启动第十代V10产品出货，并计划在英伟达推出CMX存储平台之前扩充产能。不过，三星与英伟达尚未证实上述供货安排。

此番合作，意味着双方的协作版图将从DRAM、高带宽内存（HBM）与晶圆代工业务进一步延伸，助力三星切入英伟达AI基础设施供应链，开辟全新赛道。

CMX将AI上下文数据转化为NAND负载

英伟达CMX上下文记忆存储平台面向长上下文、多轮对话与智能体AI推理场景打造。该平台依托英伟达BlueField-4存储处理器，新增面向Pod集群级的共享上下文存储层，用以扩展GPU内存，并针对临时键值（KV）缓存完成优化。英伟达表示，这套平台搭建高带宽数据通路，旨在降低Rubin平台大规模推理任务的延迟、成本与功耗开销。

KV缓存用于保存推理过程生成的信息，让AI模型复用历史上下文，避免重复处理相同数据。随着模型支持更长对话、更多并发用户以及多智能体任务，缓存数据体量持续增长，催生GPU显存之外的大容量存储需求。

CMX标准配置搭载576块固态硬盘，可提供9600TB存储容量。行业机构预估，CMX带动的NAND闪存需求将从2026年3500万TB，攀升至2027年逾1亿TB。预计三星2026年NAND闪存总产量将达到约2.5亿TB，充足产能支撑其在新兴上下文存储供应链占据重要席位。

三星V-NAND月产能超过10万片晶圆，其中约60%产能分配给V9闪存。一年前V8曾占据产量大头，随着三星转向为英伟达及其他大型科技企业生产新一代NAND产品，V8产能占比现已降至40%以下。V9良率已经突破80%，标志着生产趋于稳定。三星平泽P4工厂闪存洁净厂房仍保有过半空余空间，一旦需求上涨，具备新增V9产线的扩容条件。

PM1763：搭载V9闪存的PCIe 6.0服务器固态盘

三星同期启动PM1763量产，这是面向AI与高性能计算服务器的PCIe 6.0企业级SSD。这款固态盘搭载三星V9NAND闪存与全新自研4纳米控制器。三星称，PM1763已完成下一代AI平台验证，但并未披露对应的平台与客户；官方公告也未将该产品与英伟达CMX关联。

PM1763提供4TB、8TB、16TB三种容量版本。16TB型号顺序读取速度最高28400MB/s，顺序写入最高21900MB/s，性能达到前代PM1753的两倍以上。三星介绍，该固态盘传输一份40GB大语言模型仅需约1.4秒，能够减少处理器与加速器之间的数据传输时延；能效水平较上代提升1.8倍以上。

PM1763支持直连芯片散热方案，可在液冷服务器中长期稳定运行；安全特性包含后量子密码算法以及可信执行环境设备接口安全协议（TDISP），保护虚拟化环境下的数据传输通路。

三星加速V10量产，同步筹备V11

三星于2026年上半年启动V10扩产，现阶段该产品占V-NAND总出货量比重不足5%。V9堆叠层数为286层，而V10达到400层级别，存储密度提升超50%。三星同时开启V11试产，该产品堆叠层数规划在400–500层区间。公司计划在2026年下半年将V11试产规模扩大一倍，积累良率数据，为后续量产铺路。

三星将在V10产品中更大范围采用钼互连工艺。相较于传统钨材料，钼可将布线厚度缩减30%–40%。V9仅选择性使用钼材料，V10将扩大该项工艺应用范围。

另据消息，三星会长李在镕预计将在旧金山与英伟达CEO黄仁勋会面，洽谈HBM、新一代NAND闪存供货事宜，同时探讨双方在韩国数据中心项目上的潜在合作机会。