三星平泽筹建50台D2W混合键合量产产线

三星电子将在平泽园区建设一条拥有50台设备规模的晶圆对晶圆（D2W）混合键合量产产线，用于生产新一代高带宽内存（HBM）以及逻辑芯片，设备预计自今年年底开始进场安装。业界消息显示，三星电子已选定荷兰半导体后道设备企业BESI作为首要合作方，启动50台D2W混合键合机台采购流程。产线预计落地于平泽园区P5厂区。

BESI首席执行官Richard Blickman在今年4月一季度业绩电话会议上表示：“今年年中前后，大家将会看到三星电子混合键合机采购更明确的进展。”彼时，BESI混合键合设备正处于三星电子品质验证阶段。

不过订单敲定仍需时日。三星电子要求对设备进行结构改造，导致双方尚未确定确切供货时间。设备结构改造，指根据客户需求调整设备设计、零部件、模组等部分规格。业内认为，BESI混合键合设备单价约60亿韩元，接近竞争对手产品价格的两倍，这也是谈判周期拉长的重要原因。

一位业内人士表示：“BESI向台积电、美光等全球半导体厂商供应混合键合设备，对于专为三星电子改造设备结构一事存在顾虑。三星电子虽将BESI设备作为首选方案，但在协调遇到阻力后，也在考虑引进反应灵活的韩国本土设备厂商产品。”

三星电子旗下半导体设备子公司SEMES也收到了这条量产线D2W混合键合机的供货邀约，SEMES原本期待能够拿下平泽园区两条混合键合量产线的订单。另一位业内相关人士称：“三星电子最初优先选定BESI，让SEMES感受到巨大压力，但近期局势出现变化。”SEMES已于今年年初完成D2W混合键合机开发，并交付三星电子开展性能验证，据悉相关设备已经通过测试。

三星电子同时将韩华Semitech纳入混合键合设备合作候选名单。韩华Semitech在今年2月完成第二代D2W混合键合设备“SHB2Nano”研发，并于4月向SK海力士交付评估样机。这套方案并非单独键合机，而是整合了Cymerx晶圆传输模块（EFEM）、韩华Semitech等离子活化模块、JEUS清洗模块的集群式一体化系统。

三星电子在平泽园区布局D2W混合键合量产产线，服务于HBM与逻辑芯片封装工艺。业界消息称，除半导体后道封装基地天安园区外，三星电子推进在平泽园区落地面向新一代HBM的混合键合产线。

HBM内部DRAM裸片堆叠，如果舍弃传统热压（TC）键合，改用混合铜键合（HCB），能够大幅改善芯片性能、功耗与发热问题。该技术无需微型凸点，铜与介电层直接键合，有效缩短器件互连长度。该工艺极大概率用于定制化HBM（cHBM）产品。三星电子计划把cHBM基底裸片替换为搭载客户运算电路IP的逻辑裸片，辅助外部CPU、GPU运算并优化数据传输。三星规划在这款逻辑裸片上方垂直堆叠HBMDRAM，实现3D系统级封装（SiP）架构。

三星晶圆代工上月也发布基于混合键合的新一代3D垂直堆叠方案3D Cube-H，是面向下一代AI芯片、高性能计算（HPC）的异质集成封装技术。相较传统封装方案，能够提升性能、降低功耗、扩大带宽。目前三星代工正向客户积极推广该技术。

各大厂商的混合键合设备预计自今年年底起陆续运抵平泽园区并完成安装。但三星电子内部评估，混合键合大规模量产时点落在2030年，该技术实现难度显著高于热压键合。业内人士预测：“混合键合大规模商用，大概会在英伟达下一代AI加速器Feynman登场的2029年前后。”