专利到期在即，SK海力士DRAM材料供应链迎来新玩家

SK海力士正在扩充DRAM电容工艺所用铪基高介电常数（高k）前驱体材料的供应商体系。铪基高k前驱体相关专利长期由日本企业Tri Chemical Laboratories Inc.（TCLC）持有，不过这批专利将于今年下半年到期。SK海力士计划借专利到期契机，降低对少数供应商的依赖，同时通过引入市场竞争压低采购成本。

半导体行业消息人士透露，SK海力士本月早些时候选定韩松化学（Hansol Chemical Co.,Ltd.）与EZTMCo.,Ltd.（前身为Eugene Technology Materials）作为铪基高k前驱体的新增候选供应商。在此之前，该材料主要由集团关联企业SKtrichem与长期合作厂商UP Chemical Co.,Ltd.供应，供货比例约为8:2。

本次供应商多元化布局的核心契机是核心专利到期。铪基高k前驱体的核心知识产权归日本Tri Chemical Laboratories Inc.（TCLC）所有，SKtrichem是该技术在韩国的独家授权生产方。SKtrichem是SK集团与TCLC合资成立的企业，2025年并入SKecoplant Co.,Ltd.旗下。此前相关专利壁垒阻挡了新厂商入场，而今年下半年专利到期后，市场将向更多供应商开放。UP Chemical此前通过取得TCLC专利授权，才得以成为该材料供应商。

韩松化学是首个入选的新增候选供应商，后续EZTM也被纳入名单。业内对此事多有讨论，原因是采购部门此前已通过竞标完成候选名单筛选，EZTM是后期追加入围。行业消息称，由高管Lee Byung-gi主管的制造部门强力推动EZTM入选本次候选名单。本次竞标参与方还包括默克（Merck KGaA）、DNF Co.,Ltd.、TEMC Co.,Ltd.，但上述企业均未进入最终候选短名单。

韩松化学与EZTM将在今年年底前向SK海力士供应铪基前驱体材料用于验证测试。一名业内人士表示：“若认证过程未出现重大问题，该材料预计明年导入量产产线。”前驱体是一类化学原料，通过化学反应转化为目标薄膜物质。DRAM所用高k前驱体会以原子层级厚度沉积在存储电容表层。DRAM依靠电容内部是否留存电荷实现数据存储；随着器件尺寸持续微缩，电容排布愈发密集，高介电常数介质材料成为削弱电容之间信号干扰的刚需材料。

此前锆基材料是该工艺的主流选择，但随着半导体制程不断微缩，行业逐步转向介电常数更高的铪基材料。行业测算显示，SK海力士每年铪基高k材料采购规模达数千亿韩元，且随着公司DRAM产能持续扩张，采购金额还将继续增长。目前行业尚未出现可替代DRAM电容铪基介质的成熟新材料，业内观测人士认为，本次新通过认证的供应商将获得可观的增量订单。

SK海力士将提前向英伟达交付HBM4

SK海力士已于6月底向英伟达批量交付12层堆叠HBM4，同时正在提升产能，为后续大规模量产爬坡做准备。这批高带宽内存专供英伟达新一代Vera Rubin算力平台。6月底交付的这批产品为定型规格量产件，区别于此前送出的工程样品。

据悉，SK海力士将英伟达订单排产优先级置于其他客户之上，加急组织生产。相关晶圆加工工作4月启动，英伟达提出加急“加急流片（hotrun）”需求，将原本4个月的交付周期压缩至约2个月。

现阶段交付总量仍处于低位，但随着SK海力士加大晶圆投片量，9月起供货规模将达到可观水平。英伟达因急需HBM4供货，大幅简化了常规验证认证流程；即便如此，6月底交付的产品在企业内部仍被认定为完全符合英伟达各项指标的定型量产版本。

本次交付是SK海力士面向英伟达的首批定型规格HBM4产品，并非行业首款商用HBM4。SK海力士2025年9月宣布完成HBM4研发，量产产线同步搭建完毕。企业称该产品I/O通道数量提升至2048个，带宽实现翻倍，电源效率提升超40%。

这款HBM4传输速率可达10Gbps以上，高于JEDEC规定的8Gbps行业标准；产品采用SK海力士自研先进MR-MUF封装工艺，搭配第五代10纳米级DRAM（1b工艺）。SK海力士还透露，正与台积电合作，将先进逻辑制程工艺应用于HBM4基底裸片。

业内消息预计，在三大存储原厂中，SK海力士将持续坐稳英伟达第一大HBM4供应商位置，供货份额约60%，部分机构预测最高可达70%。另有消息称，SK海力士已与英伟达完成2027年度HBM4供货价格谈判。该产品存储核心裸片采用1b DRAM，基底逻辑裸片选用台积电12纳米工艺，这套工艺组合让SK海力士的报价低于三星。