高盛：DRAM现货价格持续走高DDR4逆势增长

随着AI算力建设持续推进，全球DRAM内存市场供需格局持续收紧。高盛截至6月26日的最新月度存储行业调查数据显示，主流DDR4、DDR5内存现货价格自5月以来持续大幅上涨，现货较合约价出现显著溢价，行业景气度持续升温，预示后续合约价格存在明确补涨空间。

具体价格数据显示，自5月1日至今，DDR5现货价格累计上涨20%，当前现货价格较5月合约价溢价约25%；存量更大、应用更广的DDR4现货价格同期上涨11%，溢价幅度更为突出，达到45%。业内分析指出，现货市场交易灵活、对供需变化反应灵敏，而合约价格多为厂商与大客户提前锁定的中长期定价，反应相对滞后，本次现货大幅跑赢合约，是DRAM行情持续上行的核心信号。

高盛在报告中表示，现货价格大幅领先合约价格，是后续合约价格集体跟涨的重要先行指标。从行业情绪来看，6月全球DRAM市场情绪指标维持“温和积极”水平，与4月持平，市场整体预期稳定向好，产业链涨价共识持续凝聚。与此同时，该行大幅上调HBM价格预期，已将三星2027年HBM价格年增速预测从此前14%上修至44%，并判断当前传统DRAM现货的强势上涨行情，会成为厂商与客户谈判2027年HBM合约价格的重要参考依据，HBM涨价空间仍有进一步上行可能。这也意味着下半年DRAM与高端HBM市场大概率延续量价齐升的景气走势，终端采购成本或将持续走高。

此轮DRAM涨价并非短期市场波动，而是供需结构性错配长期积累的结果。需求端层面，AI大模型推理、数据中心扩容、服务器迭代升级持续拉动大容量内存需求。新一代AI服务器全面普及DDR5内存，海量算力设备投产带动高端DRAM需求爆发；同时，传统服务器、消费电子、工控设备等存量市场对DDR4的刚性需求依旧稳固，形成新旧规格内存双向热销的格局。

供给端的产能结构性倾斜，进一步加剧了通用DRAM的供应缺口。当前三星、SK海力士、美光三大存储巨头持续将晶圆产能向高毛利的HBM高带宽内存倾斜，全力适配AI芯片配套需求。数据显示，2026年全球HBM产能占比大幅提升，通用DDR内存的晶圆投入量持续收缩，且存储芯片扩产周期长达2至3年，短期新增产能无法落地，市场供需缺口难以快速填补。

值得关注的是，市场出现罕见的DDR4逆势强势行情。作为前代成熟规格，DDR4本应逐步被DDR5替代，但由于海量存量服务器、边缘计算设备持续服役，叠加AI推理业务对低成本大容量内存的需求攀升，DDR4资源稀缺性持续凸显，溢价幅度反超DDR5，成为本轮涨价的突出特征。

价格上涨已传导至全产业链，终端市场感知明显。此前半年内DDR5现货价格已实现数倍增长，本轮持续涨价进一步压缩下游厂商利润空间。对于云计算、互联网企业而言，服务器内存采购成本走高，叠加硬件迭代需求，整体基础设施运营压力有所增加。而Meta等企业通过自研CXL芯片复用退役DDR4内存的模式，也在当前涨价周期中凸显出极高的实用价值与成本优势，为行业降本提供了重要思路。

机构预判，2026年全年DRAM市场将维持供不应求态势，现货与合约的价差将逐步收敛，合约价格有望迎来多轮补涨。随着下半年消费电子旺季来临，叠加数据中心算力建设持续加码，DRAM需求将进一步释放，行业景气度有望持续攀升。中长期来看，在HBM产能持续挤占通用DRAM产能的背景下，传统内存供需偏紧的格局或将延续至2027年。