韩国EUV光刻机，进口程序简化

韩国改进了半导体核心工艺所必需的极紫外（EUV）光刻设备的引进流程，从原来的34天缩短至9天，最多可提速25天。

产业通商部表示，在国务会议上通过了《高压气体安全管理法施行令》部分修订案，主要内容是将符合全球安全标准的半导体制造设备，适用“特定设施”而非“一般制造设施”的标准。此次制度改善后，EUV设备的引进周期将缩短至每台最多25天，海外认证检测机构的耐压和密封性检测费用也将节省约5亿韩元。

产业部期待三星电子、SK海力士等国内主要半导体企业能及时引进先进制造设备并迅速投入运营，从而有助于维持半导体产业的领先优势。

半导体制造过程中必不可少的EUV设备，由于内部包含高压气体管道和装置，根据现行法规被归类为“高压气体制造设备”。业界一直反映，每次安装EUV设备时都必须接受技术审查和检查，导致设备引进延迟并增加企业负担。为完善相关制度，产业部多次与半导体行业协商并听取意见，仔细审查了全球安全标准与国内安全管理体系之间的协调性，制定了将EUV设备从原有的“高压气体制造设施”调整为“特定设备”以加强安全管理的修订方案。

产业部将实施令与施行规则的修订同步推进，除推动EUV设备监管合理化外，还新增了针对环保型“液态二氧化碳清洗设备”的定制化检验标准，以实现该设备在国内首次商业化应用，同时包括根据实际情况调整“低风险高压气体设施”安全管理负责人任命标准等内容，进一步优化监管措施。

产业部长官金正官表示：“此次法规修订是实现安全保障与提升尖端产业竞争力的代表性监管创新案例。今后，我们将通过符合国际标准的合理安全管理机制，积极支持尖端产业投资。”

12万亿韩元，SK海力士大手笔采购EUV设备

此前SK海力士发布有形资产收购公告，宣布将引进规模达11.9496万亿韩元的极紫外（EUV）设备。此次投资规模相当于SK海力士总资产的9.97%，设备预计收购时间从本月起至明年12月31日。SK海力士表示：“收购金额为EUV光刻机引进与运营所需的新设备、安装、库存等全部预计费用。收购对象将在总计两年内分批购入，每台设备单独采购时将分期支付款项。”

EUV是用于在半导体晶圆上蚀刻电路的光刻工艺光源。与传统半导体光刻光源 ArF（氟化氩）相比，其光波波长仅为后者的1/13（13.5 纳米），更易于实现超微细化制程。目前EUV设备由荷兰半导体设备企业ASML独家生产，技术难度极高，设备价格也十分昂贵。据悉，最新一代设备单价约为3000亿韩元。以此价格推算，SK海力士到明年为止预计将引进至少30台以上EUV设备。目前SK海力士正在建设清州M15X厂区，并从今年开始正式导入设备。龙仁半导体集群的首座厂区计划在明年2月洁净室完工后进驻设备。

EUV工艺的核心应用对象为1c DRAM。此前，SK海力士已在1a DRAM的1层结构中首次应用 EUV，之后在1b DRAM中将其扩大至4层，而1c DRAM将采用更多层EUV工艺。1c DRAM 不仅将用于 SK海力士下一代移动、服务器 DRAM，也将应用于人工智能数据中心核心部件 ——HBM。计划从明年正式量产的HBM4E开始，首次采用1c DRAM。