三星电子HBM5模型，首次公开

三星电子首次公开了第八代产品HBM5的样机，还计划采用新技术以增强HBM的散热性能。在Computex 2026展会现场，三星电子DS部门首席技术官（CTO）Song Jaehyuk社长发布了下一代存储器解决方案。

Song Jaehyuk表示：“为应对快速变化的AI产业，涵盖内存、代工、逻辑和封装的综合解决方案竞争力正变得愈发重要。特别是随着AI系统向超高性能、超高集成化结构演进，数据处理效率和散热管理技术也已上升为核心竞争要素，而不仅仅是单纯的内存性能。”

三星电子在本次展会上首次公开了HBM5的模型。该模型是指在产品开发完成前，按实际产品外观制作的样品。下一代技术之一是用于应对HBM5的热通道块（HPB）。HPB是一种为解决AI内存高性能化过程中日益严重的发热问题而开发的技术，能够更高效地分散和释放物理层（PHY）区域产生的热量。

Song Jaehyuk表示：“三星电子的HBM5通过增加独立的热传导路径，降低了热阻并提升了运行稳定性，这是其优势所在。预计未来在高带宽、高集成度的人工智能环境中，将对提升整个系统的效率发挥重要作用。”

此外，三星电子已完成了HBM4E产品中HPB技术的实现与验证。三星电子强调：“这源于我们在产品设计、存储器和封装等综合半导体领域所具备的实力，未来计划将HBM5全面应用于产品中，进一步提升产品的性能与稳定性。”

此外，三星电子已宣布计划率先在HBM5中采用2纳米基础芯片。三星电子在本次展会上还发布了HBM4E晶圆和芯片组。三星电子的HBM4E采用最先进的1c DRAM核心芯片与自研4纳米制程基底芯片相结合的结构，是集成了三星电子独特整体解决方案竞争力的产品。

上月，三星电子宣布，已向全球主要客户送出业界首款12层堆叠HBM4E样品。三星HBM4E单引脚稳定运行速率为14Gbps，最高可提升至16Gbps，能够应对日益严苛的数据处理需求。相较HBM4，其速率提升超20%；单堆叠内存带宽最高可达3.6TB/s，可充分释放大语言模型（LLM）与新一代AI系统的运算性能。

此次推出的12层堆叠HBM4E产品容量为48GB，相较上一代产品提升超30%。三星还将根据客户需求，陆续推出8层32GB、16层64GB等不同规格版本，丰富产品矩阵。HBM4E充分整合三星完整的半导体技术实力，沿用HBM4量产阶段打磨成熟的前沿技术，包括业界领先的第六代10纳米级1c DRAM工艺，以及三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片，保障产品拥有更出色的工艺稳定性与量产能力。

三星对HBM4E的存储及逻辑架构完成设计与工艺优化，进一步提升产品性能、能效与良率。其中，凭借先进低功耗设计与封装结构优化，该产品能效较上一代提升16%，热阻性能改善超14%。以上优化可实现更高效的散热效果，让新一代数据中心在高负载运行场景下，长期保持稳定运转，并降低整体能耗。

完成样品交付与相关调试后，三星将结合客户进度启动HBM4E量产工作。

三星于今年2月推出的HBM4收获了全球客户的广泛好评，其性能与能效表现备受认可。作为业内首款实现量产的产品，HBM4在系统级封装（SiP）测试中跑出11.7Gbps的速率，树立起行业标杆。目前HBM4供货规模稳步扩大。采用同款核心芯片与基底芯片的全新HBM4E，预计很快迈入量产阶段，助力新一代AI系统加速创新。依托覆盖存储、晶圆代工、逻辑芯片设计及先进封装的全产业链布局，三星将持续为高速发展的AI市场，提供稳定的半导体产品供应。