三星加码GDDR6供货，暂停1d DRAM量产

据报道，三星电子自2026年4月起专门为特斯拉增产GDDR6显存。与此同时，由于良率未达预期，三星电子正缩减部分通用存储产品线，并叫停下一代1d DRAM的量产计划。

三星电子已在其华城厂区启动8GB GDDR6的扩产，以满足特斯拉持续增长的需求。受此影响，三星电子每月向特斯拉供应的8Gb GDDR6规模已扩大至2026年第一季度的四倍。据悉，特斯拉自2026年初便要求增加DRAM供货，今年1月更是提出五倍以上的增量需求。这批GDDR6目前用于特斯拉的车载信息娱乐（IVI）系统及自动驾驶功能。

此举备受市场关注，因为当前主流存储厂商普遍将高带宽内存（HBM）置于优先地位，而非普通DRAM。行业分析师指出，特斯拉的大幅加单凸显出存储市场持续供应紧张的局面，即便是大型科技企业也难以幸免；通用DRAM短缺正推动价格上涨，并促使企业采取提前采购策略。

三星电子并无全面扩大GDDR6产能的计划。据消息显示，公司已将GDDR6产品线从三个系列精简为单一VF系列，该系列基于10纳米级1z工艺打造，此举被视为利润最大化战略的一部分。即便如此，三星电子仍决定向特斯拉加大供货，足见这家车企作为核心战略合作伙伴的重要性，也体现出其强化双方商业合作关系的意图。

除GDDR6外，三星电子还为特斯拉的AI5自动驾驶芯片供应LPDDR5X内存，并通过代工业务生产特斯拉AI4芯片。三星电子计划2027年起，在其美国得克萨斯州泰勒工厂采用先进的2～3纳米工艺，为特斯拉生产AI5及AI6芯片。三星电子同时布局存储与非存储半导体业务，而特斯拉正是能够为其带来稳定收入流的核心客户。

此外，三星电子在评估良率与投资回报率（ROI）后，认为1d DRAM尚不具备量产条件，因此撤回了原本针对第七代10纳米级1d DRAM的量产计划。该工艺原计划在2026年一季度通过量产准备认证（PRA）后投入生产。

1d DRAM工艺被视为三星电子未来HBM路线图的关键技术，尤其对HBM5E而言至关重要。与仍可沿用1c DRAM的HBM4、HBM5等前代产品不同，HBM5E预计需要稳定的1d DRAM供应。因此，这一变动引发业内担忧，可能导致三星电子下一代HBM产品时间表推迟。

这一情况与三星电子存储研发负责人此前在英伟达2026 GTC大会上的表态相悖，当时其曾对在HBM5E上采用1d工艺充满信心。但内部人士透露，三星电子管理层最终判定良率不足，且目前尚无客户愿意在当前阶段采用或等待 1d DRAM，强行量产将面临较大经营风险。

在半导体行业，良率哪怕仅相差1个百分点，都可能对千亿韩元级别的盈利水平产生显著影响。分析师认为，三星电子目前尚未获得足够的客户需求，难以支撑1d DRAM商业化所需的大规模投入。

随着量产计划取消，原隶属于1d DRAM专项工作组的约400名人员目前处于闲置状态。该团队已运作两年，目标直指量产，但产品认证审批一再推迟，工程师目前仅能进行开发信息交流，无法推进量产工作。此举也加剧了内部对公司竞争力的担忧，三星电子主要竞争对手SK海力士据称已完成1d DRAM开发，并实现超过50%的稳定良率，具备量产条件。

三星电子在2025年采取 1c 与1d DRAM同步研发的策略，或导致研发资源分散，使其面临被聚焦单一世代工艺的竞争对手反超的风险。消息人士称，三星电子当前方针是，在1d DRAM良率达到目标阈值前，无限期推迟量产。公司正全面重新评估工艺路线图，重点提升良率表现，重启量产的时间点尚不明确。