三星电子HBM4E，5月完成首批样品开发

三星电子正加速研发第七代高带宽内存（HBM）——HBM4E。据称，该公司计划在下个月完成首款HBM4E样品开发，使其达到预定性能目标。在此基础上，三星电子将完成内部验证并向客户交付样品。近期，三星刚刚正式实现行业首款第六代HBM（HBM4）量产出货，如今目标是进一步抢占下一代HBM市场。

业内消息称，三星电子晶圆代工部门将在月中生产HBM4E的逻辑芯片样品，该芯片作为HBM4E的 “大脑”，性能较上一代大幅提升。代工部门会将此样品交付存储部门，与HBM4E专用DRAM进行封装，制成完整样品。在完成内部性能评估后，三星将把达到性能指标的样品交付给英伟达。

今年3月，三星电子曾在英伟达GTC 2026上公开展示了实体 HBM4E。但业内普遍认为，该产品仅为展示用样品。三星似乎尚未量产符合英伟达等客户性能要求、具备实际意义的样品。三星计划加快HBM4E研发进度，以抢占下一代HBM市场先机。此前，三星相比竞争对手率先在HBM4上采用先进工艺，并成功实现行业首次HBM4量产出货。该公司表示，HBM4的逻辑芯片与DRAM均采用了比竞争对手SK海力士、美光更先进的工艺，从而具备性能优势。目前三星正集中全力提升盈利水平。

三星电子在HBM4E的逻辑芯片上沿用与HBM4相同的4纳米代工工艺，DRAM则采用10纳米级第六代（1c）工艺。尽管为提升性能新增了部分子工艺，与前代并非完全一致，但相较于竞争对手首次在HBM4E上采用先进代工工艺与1c DRAM的方案，三星方案在技术上被认为更稳定。

值得注意的是，业内估算三星电子1c DRAM良率已突破80%，达到通常所说的成熟良率。但行业普遍认为，这一水平尚不能直接等同于HBM4的量产良率。三星内外测算显示，目前HBM4专用DRAM良率仍低于60%。三星电子当前计划是在今年下半年将HBM4 DRAM良率提升至接近完美水平，从而加强对英伟达等主要人工智能客户的供货能力。HBM4所用DRAM需要额外经过堆叠、封装、散热控制、信号稳定性保障等工序，因此即便基于相同1c工艺，通用DRAM与HBM4 DRAM的制造难度截然不同。

业内人士表示：“HBM4采用多颗DRAM垂直堆叠结构并以超高速运行，因此对均匀性与精度的要求远高于通用 DRAM。即便单颗芯片良率达到一定水平，在组装成最终HBM4成品的过程中，良率仍可能再次下滑。” 他同时指出：“三星1c DRAM良率提升是积极信号，但以HBM4标准衡量，仍难言已达到成熟良率。”

与此同时，SK海力士也在全力推进HBM4E研发。据悉，SK海力士将在HBM4E上采用比HBM4领先一代的DRAM，并优先为逻辑芯片采用台积电3纳米工艺。此前，SK海力士HBM4逻辑芯片采用台积电12纳米工艺，DRAM则为10纳米级第五代（1b）工艺。如果说HBM4时代其策略是依托成熟工艺保障商用稳定性，那么HBM4E阶段，SK海力士的战略则转向追求性能优势。

一位半导体行业人士表示：“搭载HBM4与HBM4E的英伟达AI芯片Vera Rubin 系列上市时间有所推迟，产能也进行了部分调整。但三星正全力投入下一代市场，避免重蹈上一代将市场拱手让给竞争对手的覆辙。”

TrendForce调查显示，2026年英伟达的高端AI芯片出货结构将出现变化，受到国际形势变化、供应链仍需时间调校等因素影响，预估Hopper、Rubin系列占其整体高端GPU出货比例将下降，进而推升Blackwell系列占比从61%大幅成长至71%，主导市场的地位更加巩固。

由于AI需求强劲，且英伟达积极推动芯片用量高的整合型GB/VR机柜方案，预估2026年英伟达高端GPU出货量将明显成长，然而年增率将从原本预估约26.8%，微幅下修至近26%。年增幅调整主要因为Rubin系列正面临出货时程递延风险，除了核心零部件HBM4的认证程序耗时，还需克服网络传输从CX8升级至CX9的适配、功耗大幅提升后的电力管理，以及更高规格液冷散热方案带来的整体效能调校等挑战。据此，TrendForce预估Rubin系列于英伟达高端GPU的出货占比也将下降，从原本的29%降至22%。

此外，受国际形势影响，H200实际出货的时间点尚待确定，预估Hopper系列出货占比将从原本的10%，下调至7%。相对而言，已趋成熟的Blackwell方案出货占比将突破70%，并以GB300/B300系列为主轴。至于GB200/B200出货量虽较少，但凭借2025年既有订单出货延续及较低成本客群等诉求，有机会可支撑此系列供货至2026年下半年。