三星电子计划5月生产首批HBM4E内存性能样品

三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品，为 2027~2028 年的供应打下基础。

三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。

与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。