FuriosaAI芯片,7月供货三星SDS

来源:半导纵横发布时间:2026-04-03 11:33
AI芯片
韩国
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全年总产量预计将达到2万颗。

FuriosaAI公司将启动第二代人工智能芯片 Renegade(RNGD)的量产工作,并计划从7月起向三星SDS公司供货,用于其云端部署。在量产活动上,FuriosaAI首席执行官 Baek Joon-ho 表示,继1月份首批4000颗芯片投产后,公司将逐步扩大产能,全年总产量预计将达到2万颗。

FuriosaAI计划追加生产1.6万颗 Renegade 芯片,并将内存从第四代高带宽内存(HBM3)升级至第五代高带宽内存(HBM3E),存储容量将提升1.5倍,从48GB增至72GB。HBM3E内存将由SK海力士提供,所需全部供应量已落实到位。

FuriosaAI新增客户三星SDS。自去年9月双方展开合作以来,三星SDS计划从7月起在其服务器中搭载 Renegade 芯片。此次合作进一步扩充了 FuriosaAI的现有客户群,其客户目前还包括LG AI Research和LG Uplus Corp。

三星SDS正筹备推出基于订阅模式的云服务器共享服务,并考虑采用Renegade芯片。三星SDS副总裁 Lim Jung-hyun 在活动上表示,公司将于7月在其云平台推出韩国首个基于NPU的基础设施即服务(NPUaaS),并透露已与 FuriosaAI展开紧密合作。

FuriosaAI计划在 2028 年推出第三代芯片。Baek将芯片研发比作汽车发动机设计,称下一代芯片将在 Renegade 架构基础上进一步提升性能规模。Renegade 是该公司继第一代芯片 Warboy 之后推出的产品,定位为NPU,专为数据中心人工智能负载优化设计。单颗芯片集成两套 HBM 堆栈,带宽可达每秒 1.5 太字节。芯片量产仍将由台积电负责。FuriosaAI已于 1 月从台积电获得首批4000颗芯片,并以封装加速卡形式交付给客户。

Renegade提供两种产品形态:RNGD PCIe 加速卡与 NXT RNGD 系统。PCIe 加速卡采用低功耗设计,热设计功耗(TDP)为 180 瓦。NXT RNGD 为机架式服务器,集成 8 张 Renegade 加速卡,总功耗 3000 瓦,单机架推理性能最高可达 20 petaflops。

RNGD芯片有望降低基础设施总拥有成本(TCO),原因在于该芯片无需对现有基础设施做任何改造即可直接使用,且能基于目前数据中心主流的风冷散热方式运行。RNGD芯片基于为AI推理场景优化的TCP架构打造,在标准环境下,其单机架运算密度较GPU架构系统提升 2.5 倍,这意味着在相同的空间与电力条件下,该芯片能处理更多的AI推理工作负载。

FuriosaAI代表表示:“RNGD芯片实现量产,是公司向全球AI三强、半导体两强目标迈进的重要一步。我们将加快步伐,进一步扩大全球市场的销售额。”

值得一提的是,不久前知情人士透露,FuriosaAI计划在首次公开募股(IPO)前开启一轮融资,拟募资最高5亿美元。该公司已委任摩根士丹利与未来资产证券担任此轮融资的联席顾问,募资目标区间为3亿至5亿美元。这笔资金将用于支持其第二代RNGD芯片的量产、拓展全球业务版图,以及研发第三代芯片产品。

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