三星电子HBM4，拿下AMD

AMD与三星电子签署战略合作协议（MOU），决定在下一代AI内存、计算技术领域深化合作。AMD首席执行官苏姿丰在三星电子平泽园区会见了三星电子 DS 部门负责人全永铉等高管。双方随后就内存半导体相关合作方案进行讨论，并在管理层共同见证下签署了 MOU。

AMD指定三星电子为其 Instinct MI系列GPU加速器所搭载的下一代高带宽内存HBM4的优先供应商。三星电子计划从今年第三季度开始，向云服务提供商（CSP）及超大规模数据中心厂商供应搭载于Instinct MI455X的HBM4。AMD将在 Instinct MI455X 上采用具备最高水准性能、可靠性与能效的三星 HBM4，以此强化产品竞争力。

继去年向AMD推出的 Instinct MI350X/MI355 供应 HBM3E 之后，三星电子也将继续与AMD在最新产品上保持合作。

搭载于Helios AI机架的模组，将分别配备 4 颗 MI455X GPU 和 4 颗 Venice 处理器。AMD 计划从今年下半年开始，基于服务器用第六代 EPYC 处理器 “Venice” 与 Instinct MI450 系列定制化GPU，打造 Helios AI 机架。该机架也将采用三星的服务器级高性能DDR5内存与HBM4。

三星电子DS部门负责人全永铉表示：“三星与 AMD 拥有共同推动 AI 计算发展的目标，此次协议将扩大双方合作范围。”他还表示：“三星电子已具备 HBM4、下一代内存架构、先进代工与封装技术等能力，能够支持 AMD 的 AI 产品路线图。”

AMD 首席执行官苏姿丰表示：“要实现下一代 AI 基础设施，全行业的紧密合作必不可少。很高兴能将三星的内存技术与 AMD Instinct GPU、EPYC 处理器及机架级平台相结合。”

在苏姿丰到访前，半导体业界曾期待双方在晶圆代工领域也会公布合作方案。不过双方仅发表原则性立场，表示 “三星电子与AMD将就下一代产品委托生产事宜进行讨论”。

三星电子晶圆代工业务正逐步进入产能利用率恢复阶段。得益于尖端及主力工艺整体晶圆投入量的增加，预计亏损幅度将较去年有所收窄。预计今年上半年三星电子晶圆代工厂的平均产能利用率将达到 60% 左右。这一水平较去年下半年的50%左右，上升了约10个百分点。

此前，由于未能 3nm等尖端工艺上争取到大型客户，三星电子代工事业部的盈利能力曾大幅恶化。据统计，去年第一、二季度，非存储器事业部的营业亏损高达2万亿韩元。不过去年第三、四季度，该部门已进入温和复苏轨道，亏损额收窄至 1 万亿韩元左右。这是因为在4纳米、8 纳米等既有主力工艺上增加了晶圆投入量，同时在 8 英寸成熟工艺方面，通过缩减部分低收益产品实现了效率优化。

特别是去年年底，基于2纳米工艺的最新款移动 AP（应用处理器）“Exynos 2600” 已投入量产。据推算，该工艺的单片晶圆良率目前约为50%。受此影响，三星电子代工厂的整体产能利用率正在回升。从去年下半年的 50% 左右预计将提升至今年上半年的 60% 左右，三星电子也计划将相关材料及零部件的采购量扩大至类似水平。

有消息称，三星电子晶圆代工部门正推动部分制程的价格上调，调价对象为4纳米与8纳米制程，涨幅预计在10%左右。两款制程均已跨过良率爬坡阶段，进入成熟量产周期：追求性能的客户选择4纳米制程量产芯片，侧重成本竞争力的客户则选用8纳米。目前上述制程的产能已基本触及生产上限。

业界分析认为，三星电子代工事业部若想扭亏为盈，产能利用率需超过 80%。因此，三星电子需要通过尖端工艺的稳定量产来赢得全球大型科技企业的信任。