美光出局，三星和SK海力士拿下英伟达HBM4订单

AI时代，英伟达似乎成为了能够决定半导体企业命运的存在。只要进入英伟达的HBM供应链，就能成为AI产业主角，没能进入的企业则地位下滑。三星电子就是如此。困扰三星半导体两年的危机论，正是由于英伟达HBM3供货延迟所引发，而在去年9月通过HBM3E 12层产品质量测试后，危机论才逐渐平息。

英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin。该产品将采用三星电子和SK海力士提供的第6代高带宽内存HBM4，而全球第三大内存厂商美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外。从这一角度来看，有评价认为，三星电子、SK海力士入选，而美光落选，这一结果意义重大。因为这意味着未来 1—2 年可向英伟达大规模供货，从而守住 HBM 霸权。

高性能HBM4订单

业内消息称，Blackwell Bera Rubin 实物将于16日在美国硅谷举办的英伟达开发者大会 “GTC 2026” 上首次公开。虽尚未确定正式上市日期，但有消息称将在今年下半年推出。为压制 AMD、博通等竞争对手，英伟达正全力将 Blackwell Rubin 性能提升至现有产品的五倍以上。全球 80 余家合作伙伴正与英伟达携手，为这款 “怪兽级 AI 加速器” 的上市提供支持。

英伟达从去年开始就将 HBM4 定为支撑 Blackwell Rubin 大卖的核心部件，并督促存储半导体企业开发高性能产品。英伟达要求用于 Blackwell Rubin 的 HBM4 运行速度远超国际半导体标准委员会（JEDEC）规定的每秒 8Gb，达到 10Gb 以上。容量也有所提升。搭载于 Blackwell Rubin 的 HBM4 为 16 颗，容量达 576GB，高于英伟达竞争对手 AMD 下一代 AI 加速器 MI450 的 HBM4 容量（432GB）。

美光无缘Blackwell Rubin

全球存储企业均在 Blackwell Rubin 用 HBM4 供货争夺战中全力以赴。因为只要拿下英伟达HBM订单，就能在获得技术力认可的同时，确保优异业绩。

Blackwell Rubin HBM4 供货争夺战的赢家已锁定为三星电子、SK海力士。零部件供应商名单上有三星电子、SK海力士，美光则被排除在外。半导体业界相关人士表示：“Blackwell Rubin HBM4 供应商中并未提及美光。”

而在名单中的两家企业中，三星电子现在处于领先地位。英伟达按照两种运行速度设置了HBM4质量测试，分别为 “每秒 10Gb”、“每秒 11Gb” ，目前三星电子已经通过，虽然数量不多，但三星电子上月已经向英伟出货成品。而SK海力士也正为通过 11Gb 测试与英伟达进行产品优化。考虑到从 HBM4 用 DRAM 晶圆投入到封装需 6 个月以上时间，预计两家公司最快从本月开始启动 HBM4 生产。

美光并非完全不供应 HBM4，其最有可能供货的对象并非最高端 AI 加速器 Blackwell Rubin，而是 Rubin 系列的中端产品。

通用DRAM价格上涨成变数

Blackwell Rubin 用 HBM4 的分配量与价格尚未确定。有观点认为，尽管在今年包括 HBM3E 在内的英伟达专用 HBM 整体供货量中，SK海力士将占据一半以上，但仅看 Blackwell Rubin 用 HBM4，三星电子将成为最大供应商。三星电子近期表示 “今年 HBM 销售额将达到去年的三倍”，展现出强烈信心。

而变数则是每季度环比上涨一倍的通用 DRAM 价格。据悉，SOCAMM2等服务器通用DRAM模块每 Gb 价格已涨至 1.3 美元，达到与 HBM 旗舰产品 HBM3E 相近的水平。对三星电子而言，相比需要经过堆叠 DRAM 等高成本工艺的 HBM4，大量生产通用 DRAM 在盈利性方面可能更有利。

有分析认为，英伟达 CEO 黄仁勋在美国硅谷会见 SK海力士工程师并督促 HBM4 开发，目的也是为牵制三星电子议价能力的提升。半导体业界相关人士评价称：“三星电子手握 HBM4 与通用 DRAM 等多张牌，可向英伟达提出多样化谈判筹码。”