韩美半导体：将推出生产HBM5和HBM6的TC键合机

韩美半导体表示，继去年推出用于生产第六代高带宽存储器（HBM4）的 TC键合机（TC Bonder4）之后，公司计划在今年下半年推出面向HBM5、HBM6生产的 “宽型TC键合机”（wide TC bonder）。

据韩美半导体介绍，这款宽型TC键合机作为新型 TC 键合设备备受关注，它弥补了当前 HBM 量产所用混合键合机的短板——此类设备因技术难题尚未实现商业化。基于2020年自主研发的HBM混合键合机技术，韩美半导体正与客户沟通，计划在2029年16层及以上堆叠HBM量产节点，同步推出新一代高端混合键合机。

今年，受 HBM 需求激增推动，全球人工智能半导体市场中，国际存储厂商的资本支出预计将同比大幅增长。

三星电子2025年资本支出为52.7万亿韩元，比上一年减少1万亿韩元。其中，DS事业部占47.5万亿韩元，显示业务占2.8万亿韩元。三星电子执行副总裁兼投资者关系主管Daniel Oh在财报电话会议中表示，在存储器业务中，投资无论是环比还是同比均有所增加，“因为我们正在向先进制程过渡，以扩大HBM等高附加值产品的销售”。对于2026年，Daniel Oh表示，尽管详细的投资计划仍在敲定中，“但考虑到市场前景，我们预计存储器领域的资本支出将会增加”。

SK海力士亦在财报中提及，2026年，考虑到产能和基础设施的扩张，资本支出预计将较去年大幅增加。在电话会议环节，被问及2026年资本开支具体将增加多少时，SK海力士管理层表示，“正如之前所解释的，由于产能扩张、加速技术迁移以及对未来基础设施的投资，2026年的资本支出预计将同比显著增加。但同时，我们将通过监控市场状况并平衡需求可见性与投资效率，来维持资本支出纪律”。具体来看，资本开支与销售额也预计将显著增加。“资本支出将会增加，但我们也预计营收将大幅增长。因此，我们预计在维持30%中段范围的资本支出纪律方面不会有任何困难。另外，AI公司的投资不包括在资本支出内，因此不影响自由现金流（FCF）计算。”

美光已宣布，将今年资本支出从此前的180亿美元上调至200亿美元，并计划大幅扩充HBM产能。

此类大规模投资预计将带动韩美半导体TC键合机的销售增长。韩美半导体去年被美光认定为核心合作伙伴，并荣获 “顶级供应商（Top Supplier）” 奖项。此外，韩美半导体计划今年在AI系统半导体领域推出多款新型键合设备，供应给中国大陆及中国台湾地区的晶圆代工厂与半导体封测企业（OSAT）。

近期市场调研机构TechInsights预测，2025至2030年间，TC 键合机市场规模将以年均约13.0%的速度增长。

韩美半导体相关负责人表示：“在今年 HBM 需求增长的带动下，我们今明两年有望创下历史最佳业绩。” 并补充道：“公司将通过研发下一代产品、扩大产能，进一步巩固在全球半导体设备市场的领先地位。”

韩美半导体此前披露，初步统计显示，公司去年合并营业利润为 2514 亿韩元，同比下降 1.6%；营收为 5767 亿韩元，同比增长 3.2%，继 2024 年后连续第二年刷新历史最高纪录。不过，第四季度营业利润为 276 亿韩元，同比大幅下滑 61.6%。