安森美将与格芯开发下一代氮化镓功率元件

安森美宣布已与格芯签署合作协议，双方将基于格芯先进的 200 毫米增强型200毫米增强型硅基GaN工艺，合作开发并制造先进氮化镓（GaN）功率器件，首款产品将聚焦650V电压等级。此次合作将加速安森美高性能氮化镓器件及集成式功率级产品的技术路线图落地，扩充其高压产品组合，以满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防与安防领域持续增长的功率需求。

安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示，“本次合作结合了安森美在系统与产品领域的深厚积淀，以及格芯领先的氮化镓工艺技术，将为高增长市场打造全新650V功率器件。这些氮化镓产品与我们的硅基驱动器及控制器搭配使用，将助力客户开展技术创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景打造体积更小、能效更高的功率系统。我们计划于2026年上半年向客户提供样品，并快速扩大产能，实现规模化量产。”

格芯首席商务官Mike Hogan表示，“通过将我们的 200 毫米氮化镓硅基平台、美国本土制造能力，与安森美在系统和产品领域的专业技术相结合，我们正加速高效解决方案的落地，并为数据中心、汽车、工业、航空航天与国防等关键市场构建稳定可靠的供应链。安森美为核心合作伙伴，我们将持续推动氮化镓半导体技术升级，以满足人工智能、电气化及可持续能源领域不断演变的需求。”

安森美将把其业界领先的硅基驱动器、控制器以及热增强型封装技术，与格芯的650V氮化镓技术平台相整合，打造具备更高功率密度与能效的优化氮化镓器件。这类产品的应用场景涵盖：AI数据中心的电源供应器与DC-DC转换器、电动汽车的车载充电器与DC-DC转换器、太阳能微型逆变器与储能系统，以及面向工业、航空航天、国防与安防领域的电机驱动器和DC-DC转换器。

这项合作进一步扩充了安森美在功率半导体领域的领先产品组合，目前其氮化镓技术已实现全品类覆盖，从低压、中压、高压横向氮化镓，到超高压纵向氮化镓一应俱全，助力系统设计人员打造新一代功率架构，实现小体积、大功率的突破。

氮化镓技术的核心优势在于更高频率运行，通过支持更高的开关频率，氮化镓器件可帮助设计人员减少元件数量、缩小系统体积、降低成本，同时提升能效与散热性能；双向导通能力，氮化镓的双向导通特性可实现全新拓扑结构，单颗器件即可替代最多四颗传统单向晶体管，从而降低成本、简化设计流程；集成化功能，将GaN FET与驱动器、控制器、隔离及保护功能集成于单一封装内，可缩短设计周期，并降低电磁干扰。即使在高开关频率下，热增强型封装与经过优化的栅极驱动器也能保障产品的性能与可靠性。

值得注意的是，安森美将于2026 年上半年启动样品交付工作。