ISSCC 2026前瞻：两巨头的内存对决

据报道，三星电子和SK海力士将在2026年国际固态电路大会（ISSCC）上展示一系列新一代DRAM解决方案。SK海力士将推出其最新的GDDR7和LPDDR6，用于图形和移动应用；而三星电子则将发布HBM4。

SK海力士发布新一代GDDR7和LPDDR6内存

报告指出，SK海力士推出了单引脚带宽为48 Gb/s、容量为24 Gb的GDDR7显存。该芯片采用对称双通道设计，面向GPU、AI边缘推理和游戏等高带宽应用。

此次SK海力士计划推出的GDDR7 DRAM的非标准规格是其关注的焦点。尽管业界此前预期下一代GDDR7的峰值速度约为32-37 Gbps，但SK海力士将在ISSCC会议上发表论文，展示其48 Gbps的运行速度和24 Gb的密度，这展示了SK海力士在技术上的领先优势。

与目前的 28 Gbps GDDR7 相比，传输速度提升了 70% 以上。每个芯片的带宽达到 192 GB/s，高于现有 28 Gbps 产品约 112 GB/s 的带宽——这是一项技术突破，从根本上重塑了图形 DRAM 的性能范式。 

SK海力士首次发布了 14.4 Gb/s 的 LPDDR6 内存。与 LPDDR5（9.6 Gb/s）相比，LPDDR6 的带宽大幅提升，定位为面向高性能智能手机、AI PC 和具备生成式 AI 功能的边缘设备的移动 DRAM 解决方案。

三星发布用于人工智能加速器的下一代HBM4

三星电子发布了其新一代HBM4内存，容量高达36GB，带宽达3.3TB/s。HBM4采用1c DRAM工艺制造，并改进了其TSV（硅通孔）架构，以降低通道间信号延迟，从而提供未来AI加速器所需的高带宽和低功耗数据传输。

三星的HBM4相比前几代产品，带宽有了显著提升。更重要的是，它满足了领先的GPU和AI ASIC制造商对3TB/s以上吞吐量的要求，预计将从明年开始在AI服务器加速器中得到广泛应用。

三星目前正与英伟达就明年HBM4的价格进行谈判。消息人士表示，英伟达在与SK海力士敲定HBM4供应合同仅一周后，便邀请三星电子参与谈判。报道还指出，由于HBM4需求超过供应，且没有强烈的降价动力，三星电子内部的目标是使其12层HBM4内存的价格与SK海力士的价格持平。

巨头联手，要把GPU核心封装到HBM上

关于存储产品另一个值得关注的技术进展是，报道称英伟达携手 Meta、三星电子、SK 海力士等科技巨头，为提升 AI 性能，正探索将 GPU 核心集成至下一代 HBM（高带宽存储器）的技术方案。

据多位业内人士透露，Meta 和英伟达正在积极探讨此方案，并已开始与三星电子、SK 海力士进行合作洽谈。该技术旨在打破传统计算架构中内存与处理器分离的模式，通过在 HBM 的基底裸片（Base Die）中植入 GPU 核心，实现计算与存储的深度融合。

HBM 作为一种通过垂直堆叠多个 DRAM 芯片实现的高性能存储器，专为处理人工智能（AI）所需的海量数据而设计，其最底层的基底裸片目前主要负责内存与外部设备间的通信。

即将于明年量产的 HBM4 已计划在基底裸片上集成控制器，以提升性能和效率。而此次讨论的“GPU 核心内嵌”方案，则是在此基础上更进一步的重大技术跨越，它将原本集中于主 GPU 的运算功能部分转移至 HBM 内部。

将 GPU 核心植入 HBM 的主要目的在于优化 AI 运算的效率，通过将运算单元与存储单元的物理距离缩至最短，可以显著减少数据传输延迟和随之产生的功耗，从而减轻主 GPU 的负担。

这种“存内计算”的思路，被视为突破当前 AI 性能瓶颈的关键路径之一，有助于构建更高效、更节能的 AI 硬件系统。要实现这一设想仍面临诸多技术挑战。首先，HBM 基底裸片受限于硅通孔（TSV）工艺，可用于容纳 GPU 核心的物理空间非常有限。

其次，GPU 运算核心是高功耗单元，会产生大量热量，因此如何有效解决供电和散热问题，防止过热成为性能瓶颈，是该技术能否落地的关键。