9600MT/s，瑞萨电子发布第六代RCD

11月12日，瑞萨电子宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存时钟驱动器（RCD）。这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒（MT/s）的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。

据介绍，瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性如下：

• 带宽较瑞萨第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s）

• 向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径

• 增强信号完整性与能效：支持AI、HPC，及LLM工作负载

• 扩展的决策反馈均衡架构：提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐

• 决策引擎信号遥测与裕量调节（DESTM）：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈，以支持更高速度运行

新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能（AI）、高性能计算（HPC），及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。

RRG5006x第六代RCD专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户开放全新RRG5006x RCD样品，预计于2027年上半年启动量产。

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今，我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆盖多个SoC平台，以满足AI、HPC，及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”

值得一提的是，近日澜起科技宣布已完成DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片（RCD04）的量产。该芯片是高性能服务器及数据中心内存系统的核心组件，将为下一代计算平台带来显著的内存性能提升。

RCD04芯片的数据传输速率最高可达7200MT/s，较上一代产品提升超过12.5%。通过采用创新的电源管理架构和先进的信号处理技术，该芯片在实现更高传输速率的同时，有效优化了功耗表现，并显著增强了信号完整性，从而为大规模数据中心的稳定、高效运行提供了坚实保障。