存储器界首台量产型High NA EUV光刻机，SK 海力士引入

SK海力士宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引进韩国利川M16工厂。

此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”

半导体制造公司为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，引进超越现有EUV的下一代技术设备必不可少。

ASML韩国公司总经理金丙灿社长表示：“High NA EUV是开启半导体产业未来的核心技术。我们将与SK海力士紧密合作，积极推动下一代半导体存储器技术的创新进程。”

SK海力士未来技术研究院长兼技术总管车宣龙副社长表示：“通过此次设备引进，SK海力士为实现公司未来技术发展愿景奠定了核心基础设施。公司将以最先进技术，为快速增长的AI和新一代计算市场开发所需高端存储器，引领面向AI的存储器市场。”

ASML的高数值孔径EUV光刻机

在半导体制造行业，传统的DUV（深紫外）光刻机可以用于制造7nm及以上制程的芯片。EUV（极紫外）光刻机则主要服务于7nm 以下制程芯片。

ASML第一代 EUV光刻技术 TWINSCAN NXE:3600D/3400C，都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，用来曝光300 mm晶圆，最大曝光场尺寸为 26 mm x 33 mm，可提供13 nm分辨率。目前来看，这种分辨率尺寸可用于7nm、5nm 和3nm批量生产。但3nm以下节点已经不够用了。

随后ASML开发出了第一代高数值孔径EUV光刻机 ——TWINSCAN EXE:5000系列，该系列机器具有0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达8nm，分辨率将使芯片制造商能够使用比使用 TWINSCAN NXE EUV 系统小 1.7 倍的单次曝光进行打印，实现高2.9倍的晶体管密度。从而在3 nm及以上节点中尽可能的避免双重或是多重曝光。

相比初代EXE:5000，最新一代High-NA光刻机EXE:5200B，旨在支持2nm以下逻辑节点和前沿DRAM 节点的批量生产。根据官方信息，TWINSCAN EXE:5200B是第二款高数值孔径(High-NA) 光刻机，也是TWINSCAN EXE:5000的后续产品。

EXE:5200B 的成像对比度比NXE系统高出40%，分辨率高达8nm，使芯片制造商能够通过单次曝光打印尺寸缩小1.7倍的元件，从而实现比TWINSCAN NXE系统高出2.9倍的晶体管密度。这有助于降低大批量生产中的工艺复杂性，从而提高客户晶圆厂的晶圆产量。

在今年第二季度的财报中，ASML特别提到，本季度已交付首台TWINSCAN EXE:5200B 系统，不过官方并未透露具体的买家。

SK海力士连续第二个季度位列DRAM市场第一

根据相关统计，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。

与此同时，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，在2025年二季度以38.2%的市场份额再度蝉联第一，并扩大了与三星的差距。SK海力士二季度DRAM销售收入达122.71亿美元，环比增长25.1%，市场份额为38.2%，连续第二个季度位列DRAM市场第一。

而排在第二位的三星，二季度DRAM销售收入达107.58亿美元，环比增长13%，市场份额为33.5%。