SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

SK海力士宣布，已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。

SK海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商’，实现更大的飞跃。”

SK海力士量产321层TLC NAND闪存

SK海力士在NAND领域的竞争力体现在存储单元存储技术的突破上。目前，提升NAND容量的方式主要有两种：一是堆叠更多层数的存储单元，二是增加单个存储单元可存储的信息量。换言之，即使堆叠层数较低，只要能在单个存储单元中存入更多数据，同样可以打造出高容量的产品。NAND闪存芯片根据每个单元可以存储的信息量，分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。

2024年11月，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb TLC 4D NAND闪存。当时SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。”

在此次产品开发过程中，SK海力士采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。

此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示：“公司率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage，存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’。”