2025年，DRAM产业将年增25%

DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升，价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM产业位元产出将年增25%，成长幅度较2024年大。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，DRAM产业结构越趋复杂，除现有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品类。吴雅婷指出，三大DRAM原厂中，SK hynix（SK海力士）因HBM产品大幅提升获利，2025年新增产能幅度最大。预估2025年整体DRAM产业位元产出将增加25%。

得益于AI需求，HBM已成为DRAM产业重要驱动力。若排除HBM产品，2025年一般型DRAM（Conventional DRAM）位元产出预计年增20%；只看三大原厂的Conventional DRAM位元产出，预估明年将年增15%，于历年情况中属偏低水位。一般而言，一般型DRAM包含DDR5、DDR4、LPDDR4、LPDDR5、Graphics和Consumer DRAM。

TrendForce集邦咨询指出，2025年整体DRAM产业位元供给充足，若需求不如预期，供应商易面临跌价压力。其中，LPDDR4x与DDR4这两项产品的价格压力将远高于其他类别。此外，明年HBM供货将持续吃紧，以HBM3e情况最严重。

根据TechInsights 此前发布的报告显示，内存市场特别是DRAM（动态随机存取内存）和NAND闪存领域，在2025年将迎来重大变革。这些变化由多个因素共同驱动，比如全球技术的快速发展，特别是人工智能（AI）的兴起。

2025年，内存市场预计会有显著增长，AI是促进高带宽内存（HBM）和大容量固态硬盘（SSD）需求增长的关键因素。

以下是关于内存市场的五大预测：

● AI带动HBM增长：AI在深度学习和机器学习领域的应用正大幅增加对HBM的需求。

随着AI处理器和数据中心对低延迟和大数据处理的要求越来越高，HBM的销售量预计将增长70%。这将对传统DRAM市场产生重要影响，厂商可能更加倾向于生产HBM，而非普通DRAM。

● AI促进大容量SSD和QLC技术需求：AI对数据存储的需求同样促进了大容量SSD和四级单元（QLC）NAND技术的发展。

尽管QLC写入速度较慢，但其高存储密度和低成本优势非常适合AI工作负载，预计2025年数据中心对NAND的需求将增长超过30%。

● 资本支出向DRAM和HBM倾斜：为了满足AI应用日益增长的需求，内存市场的资本支出正逐渐偏向于DRAM和HBM。

随着厂商扩大产能来应对需求激增，DRAM的资本支出预计增长近20%。不过，这也意味着NAND生产的投资会减少，可能引发未来的供应问题。

● 边缘AI在2026年开始显现影响：边缘AI是指在靠近数据源的地方，如智能手机或个人电脑中实现AI功能。

尽管2025年边缘AI对市场的影响有限，但随着技术的成熟，预计2026年边缘AI设备的需求将显著增加，进一步推高内存市场的需求。

● 数据中心的AI重心延缓了传统服务器的更新：许多企业正将资源集中在提升AI能力上，而不是更新传统服务器。

然而，传统服务器的更新需求最终会出现，这可能导致2025年后DRAM和NAND需求的突然增加。

经过2022年和2023年的低谷后，内存市场正迎来强劲复苏。这次复苏主要得益于AI硬件需求的快速增长，特别是数据中心对HBM和大容量SSD的需求猛增。

2023年，HBM的需求增长了150%，预计2024年将再增长200%，2025年则有望增长70%。这种需求激增不仅推动了DRAM市场的资本支出，还加剧了内存供应的紧张状况。

在NAND市场，AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。

2025年，30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存储能力，正迅速替代传统的机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术，以提高存储密度并降低成本。

市场复苏明显，但内存市场依然面临供应紧张和投资不足的问题。DRAM的投资主要集中在HBM生产上，而NAND领域的投资不足可能导致未来供应短缺。

同时，随着边缘AI设备的普及，对DRAM和NAND的需求将进一步增加，预计2025年整个内存市场的收入将超过2500亿美元。