小米15S Pro芯片供应链拆解

近日调研机构Counterpoint Research对小米15S Pro主芯片玄戒O1 AP/SoC进行了剖析，其采用多路专用供电设计，拥有旗舰级性能表现。

小米15S Pro 核心芯片供应商

在应用处理器这一核心领域，小米自研的XRING O1芯片占据了主导地位，搭配SK海力士的LPDDR5T DRAM内存。存储方面则采用了美光的UFS 4.1 NAND Flash，确保了数据传输的高速与稳定。

在射频通信组件方面，联发科贡献了多个关键部件，包括T800 MT6980W基带、MT6639BEW Wi-Fi/蓝牙模块及MT6195W射频收发器，这些组件共同确保了手机通信的顺畅与高效。NXP的NFC和UWB模块为小米15S Pro增添了丰富的近场通信功能。

音频体验方面，小米15S Pro采用了Cirrus Logic的高品质音频编解码器和功率放大器，为用户带来了卓越的听觉享受。

传感器模块则由意法半导体提供，包括陀螺仪、加速度计等关键传感元件，这些传感器为手机提供了丰富的感知能力，提升了用户体验。

电源管理方面，小米采取了双重策略，既采用了联发科的通用电源管理IC，又自研了XRING XP2210C电源管理芯片，以进一步优化电源效率。充电技术方面，小米自研的Surge P3有线充电IC、Novolta无线充电IC，以及南芯的充电管理芯片共同构建了全面而高效的充电解决方案。

而玄戒O1旗舰处理器采用第三代3nm工艺制程，内置十核四丛集CPU，双超大核Cortex-X925核心，最高主频为3.9GHz，并内置Immortalis-G925 16核CPU，搭载第四代图像处理器，内置6核NPU，晶体管数量达190亿，安兔兔跑分3,004,137分，性能跻身第一梯队。

在玄戒O1处理器背面焊接了4颗硅电容和5颗陶瓷电容，用于抑制电源噪声。玄戒O1背面焊接的硅电容来自Empower Semiconductor安普沃尔半导体，型号EC1004B，电容尺寸仅为0.64*0.5mm，超薄厚度为75μm，电容容量为230nF，支持-40~125℃工作温度。该硅电容的容值在不同的工作电压和温度下都能保持不变，且ESL低至6.5pH，谐振频率高达300MHz，非常适合封装集成，基板埋嵌，为基于先进工艺的高性能SOC芯片供电滤波。

Empower Semiconductor安普沃尔半导体 EC1004B 硅电容特写，焊盘打胶填充密封。硅电容超薄的设计，可以焊接在处理器背面，焊球之间，自身的超低的等效电阻和等效电感，可将目标频段的电源噪声降低50%，提高处理器的稳定性，使其在更高的频率运行下，获得更加流畅的使用体验，充分发挥性能。据了解，玄戒O1是国内首家，在手机处理器芯片上使用硅电容的厂商。

从供应商构成来看，联发科作为最大的芯片供应商，在通信、射频等核心领域提供了多达4个关键组件，比如提供了基带模块T800 MT6980W、WiFi/蓝牙模块是MT66398BEW、射频收发器MT6195W和电源管理芯片。

中国大陆供应商方面，小米15S Pro的5G发射端全套采用了唯捷创芯的射频前端解决方案，包括支持Sub-3GHz和Sub-6GHz频段的集成模组及构架NSA的分离放大器和开关，共计6颗物料；南芯半导体提供小米15S Pro的次级及有线充电相关芯片；伏达半导体提供无线充电芯片解决方案。

按照Counterpoint Research的说法，小米 15S Pro不仅在性能架构上实现“自研+全球化”兼容，更通过对关键芯片的深度整合，提升了产品一致性与核心竞争力。