在世界人工智能大会(WAIC)上,壁仞科技副总裁兼AI软件首席架构师丁云帆在论坛中发表演讲,提出当前解决算力瓶颈问题需要综合考虑硬件集群算力、软件有效算力以及异构聚合算力三个维度。
他强调,只要这三个维度的工作得到有效推进,即使国产AI芯片的单个算力相对较弱,也能通过综合手段提升整体算力,以满足国内大模型训练的需求。
壁仞科技联合创始人张凌岚日前指出,AI算力芯片的迭代周期通常介于两年至三年之间,这一速度显著慢于应用侧的更新换代。
在讨论AI芯片所面临的挑战时,张凌岚强调,尽管面临诸多挑战,壁仞科技对未来AI算力芯片的市场前景和技术落地充满信心。
近日,华为常务董事、华为云CEO张平安公开表示,中国AI发展离不开算力基础设施的创新,必须摒弃“没有最先进芯片就无法发展”的观念。
“没有人会否认我们在中国面临计算能力有限的问题…… 但我们不能仅仅依赖拥有具有先进制造工艺节点的 AI 芯片作为人工智能基础设施的最终基础。”张平安说道。
张平安指出,华为创新的方向是将端侧的 AI 算力需求通过光纤和无线网络释放到云上,通过端云协同获得无缝的 AI 算力。通过云侧的算力,让端侧既保持了丰富的功能,又极大地降低了功耗和对芯片的依赖。
其实更早之前,张平安就曾表示,我们半导体能解决7nm就非常非常好。
对于众所周知的中国芯片现状,张平安表示:“我们肯定是得不到 3nm,肯定得不到 5nm,我们能解决 7nm 就非常非常好。”
张平安还认为,中国芯片创新的方向,必须依托于我们芯片能力的方向,不能在单点的芯片工艺上,而是应该在系统架构上(发力),发挥我们在带宽上的能力,希望用空间、用带宽、用能源来换取我们在芯片上的缺陷。
事实上,7nm也并非必需,调查显示,中国大陆2023年在汽车产业等大量需要28nm以上之成熟制程半导体,目前已占全球生产能力之29%。
由于美国等对先进设备出口管制,这导致中国大陆转而扩大投入成熟制程(28nm及更成熟的制程),预计2027年中国大陆成熟制程产能占比可达39%。
机构统计,中国大陆半导体厂商2023年产能同比增长12%,达到每月760万片晶圆。预计中国大陆芯片制造商将在2024年开始运营18个项目,2024年产能同比增加13%,达到每月860万片晶圆。
多维度解决高端芯片制造难题
近些年,由于美国施压,ASML不能把EUV光刻机卖给中国大陆晶圆厂。
ASML前任CEO温尼克(Peter Wennink)曾公开反对美国的限制措施,并警告说,这些限制会刺激中国开发新技术,对ASML构成竞争。他曾在接受媒体采访时说:“你给他们施加的压力越大,他们就越有可能加倍努力。”
确实如温尼克所说,限制会激发潜能。以2023年8月华为推出的Mate 60系列手机为例,当时,可以说震惊了全球半导体业,业内都在讨论用DUV设备制造先进制程芯片的话题,而这些芯片原本是需要用到EUV设备的。
其实,用DUV设备制造先进制程芯片,比使用EUV更复杂,例如,需要通过增加CVD层spacer实现自对准,以及四次曝光叠加才能完成第一层:Fin,精度要1nm左右,光是首层多重曝光就大幅提高了光刻成本,3~4个光罩加上四次浸没光刻,复杂且反复的光刻必将导致良率下降,这些都是成本啊。不过,有得就有失,在没有EUV光刻机的情况下,能够利用DUV设备制造出先进制程芯片,而且用时比人们想象的要短,已经很厉害了。
据悉,台积电将在2025年投入量产的2nm芯片,可能不再采用EUV激光,而是下一代技术PUV,也被称为软X射线技术,这是一种波长为6.5nm的铌激光技术,PUV设备是科学家用于拍摄原子化学物理现象的工具。据悉,该技术最初是由IBM研发的,美国工艺战略研究报告认为,这是美国超越台积电的重要机会。
在研发EUV光刻机的同时,中国也应该关注PUV的发展,并在必要时给予资源倾斜。
EUV光刻机解决的是芯片内部的性能和速度问题,而芯片与芯片之间的连接和通信也非常重要,芯片运行速度再快,也会受到芯片间信息传输的限制,这一点,近些年业界大厂越来越重视,例如,英伟达正在研发各种光传输技术,用于串联超级人工智能模型的大脑。
在全球EUV市场出现较大变化的当下,中国可以多管齐下,尽量做更多的技术研发和储备,以便能够应对将来出现的更大技术和市场变革。
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