订单排到两年后，三星、SK海力士争抢EUV设备

AI服务器需求持续升温，HBM和高端服务器DRAM成为存储厂商扩产重点，先进制程设备也进入新一轮紧俏周期。近日，韩国媒体报道称，三星电子与SK海力士正加紧向ASML采购极紫外光（EUV）光刻设备，双方单家投入规模据称达到10万亿至20万亿韩元。ASML已经明确表示，按现有规划，2027年至2028年的EUV设备供应将无法完全满足客户需求，设备交付档期正在成为存储厂商扩产必须争夺的资源。

据报道，两家公司计划从2027年起分批接收ASML交付的EUV设备。SK海力士已于今年3月公开一笔价值约11.95万亿韩元、约合79.7亿美元的EUV采购合同，设备交付期限为2027年12月31日，主要用于下一代存储产品量产，涉及先进DRAM及HBM相关产能建设。

设备交期也在拉长。报道称，部分关键设备的交付周期最长已达到此前水平的两倍，两家存储厂商因此考虑提前下单，并视后续需求追加采购。对存储厂商而言，能否按计划拿到设备、完成安装和调试，关系到新产线何时形成有效产能。

三星的采购与平泽园区P5项目密切相关。2025年11月，三星方面公布未来五年在韩国国内投资450万亿韩元的计划，平泽园区第五条生产线P5被纳入其中，目标是在2028年投入运营。业内估计，P5每座晶圆厂投资额超过60万亿韩元。第一阶段洁净室预计在2027年上半年完成，随后设备将陆续进场，报道称三星已为该产线订购所需光刻设备。

EUV成为存储厂商争抢的核心资源，与DRAM工艺持续微缩有关。EUV光刻使用波长为13.5纳米的极紫外光，将电路图形转移到晶圆上。相较传统光刻方案，EUV能够减少部分多重图形化步骤，有助于提高图形精度和制造良率。DRAM电路间距不断缩小，先进制程对EUV的依赖也在增加。

目前，存储厂商正推进10纳米级第六代DRAM，即1c制程。TrendForce指出，SK海力士计划在1c DRAM中使用EUV的层数超过5层，较上一代增加2层。EUV应用层数增加，意味着单条产线对设备的需求也会提高，设备到位时间将影响先进DRAM的工艺转换和产能爬坡。

ASML的供货压力已在业绩说明会上得到确认。公司预计2026年Low NA EUV设备出货量约为65台，而2025年NXE EUV系统销售量为44台，增幅接近50%。即便如此，ASML在第三季度仍表示，现有规划下2027年至2028年的供应量无法完全满足客户需求。公司计划在2027年将Low NA EUV产能提高约30%，并正在研究2028年进一步增加约30%的产能，后者仍处于评估阶段。

与此同时，ASML部分核心产品涨价影响预计从2027年开始体现，到2028年更加充分。2026年第三季度，存储业务在ASML系统销售中的占比达到46%。

常规EUV之外，下一代High NA EUV也进入存储厂商的技术布局。三星在2020年3月出货了业界首批采用EUV工艺的DRAM模块。SK海力士于2021年在利川M16工厂安装首台EUV设备，并在2025年9月将面向量产的High NA EUV设备引入该工厂，成为首家在存储制造环节导入该类设备的厂商。

三星也在加快准备。2026年9月8日，三星与ASML宣布扩大合作，三星将参与下一代12英寸光罩平台开发，并计划在2028年前将High NA EUV引入DRAM大规模量产。当前主流光罩尺寸为6英寸，向12英寸过渡有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少图形拼接限制。

High NA EUV通过提高数值孔径进一步提升分辨率。SK海力士2025年引入的EXE:5200B数值孔径达到0.55，相较传统EUV的0.33，精度提升约1.7倍，集成密度提升约2.9倍，有望延伸DRAM制程微缩路径。

此次设备紧缺并不局限于前道光刻。报道称，后道设备厂商也已积累约2至3年的订单，韩美半导体、EMCO等企业正扩大热压键合（TC Bonder）等设备产能。TC键合设备是HBM制造中的关键设备，用于将多层DRAM芯片堆叠并实现互连。随着HBM容量和堆叠层数提升，先进封装对设备精度、效率和产能的要求同步提高。

今年6月，SK海力士还向韩美半导体采购价值442亿韩元的TC键合设备，供应内容包括升级版TC Bonder 4.5 Griffin。AI存储扩产带来的设备需求，正从晶圆制造延伸至芯片堆叠和封装环节。

存储厂商加大设备投资，也有业绩支撑。三星电子2026年第三季度营收达到195.3万亿韩元，营业利润为107.4万亿韩元，其中设备解决方案部门营收147.1万亿韩元、营业利润106.5万亿韩元。SK海力士同期营收达到104.62万亿韩元，营业利润为83.33万亿韩元，均创下季度新高。AI服务器对HBM和高性能服务器DRAM的需求，正在转化为存储厂商的收入与资本开支。

从这轮采购可以看到，先进存储竞争已经延伸到设备交付环节。三星和SK海力士都在扩充下一代DRAM与HBM相关产能，而ASML的EUV产能扩张速度暂时跟不上客户需求，谁能更早锁定设备、完成产线建设，谁就更有机会推进工艺升级。不过，设备投资仍取决于AI基础设施建设、存储价格和终端需求。如果AI资本开支进入调整期，设备订单节奏也可能放缓。未来两年，ASML扩产进展、客户实际交付时间，以及HBM和DRAM市场景气度，都将影响这场设备争夺战的走向。