营收近2000亿美元，Q3 DRAM营收大涨369%

AI加速器与数据中心需求旺盛，拉动存储芯片价格上行，厂商营收创下历史新高，DRAM营收同比大涨369%。

根据Counterpoint Research发布的《2026年第三季度全球存储追踪报告》，三星以38%的市场份额领跑DRAM市场。SK海力士环比增长更为亮眼，营收环比增幅超40%，夺回了今年早些时候流失的一部分份额。美光同样受益于AI数据中心存储需求、业绩表现强劲，但增速低于三星和SK海力士。长鑫存储份额从二季度的10%下滑至三季度9%。随着竞品自四季度开始出货溢价更高的HBM4，长鑫存储的份额或将持续承压。

2026年Q3 DRAM营收市场份额

今年第三季度，三星电子合并营收达195.25万亿韩元，净利润达到75.13万亿韩元，营业利润107.44万亿韩元；SK海力士营收为104.62万亿韩元（约合788.6亿美元），营业利润为83.33万亿韩元；美光营收542.29亿美元（约合人民币3641亿元），GAAP净利润377.01亿美元（约合人民币2531亿元），毛利率高达87%；长鑫科技营收1187.14亿元，同比增长613.18%，净利润544.35亿元，同比扭亏。

从营收和利润来看，各家的数据都非常漂亮。Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示：“这是一轮价格超级周期，还不是出货量驱动的周期。本季度比特出货量仅增长约4%，但DRAM营收接近2000亿美元，是去年同期的近5倍。AI让存储从普通大宗商品变成稀缺高价值资源，采购方现在争相抢货，而非议价压价。价格仍在上涨，各大厂商下个季度有望再度刷新盈利纪录。”

DRAM平均售价（ASP）上涨是三季度增长的核心动力。虽然涨价幅度相比上半年的暴涨有所放缓，但平均售价达到每吉比特（Gb）1.9美元，推高了DRAM整体营收。Counterpoint Research研究总监MS Hwang称：“每一代全新HBM都会重塑行业龙头格局。SK海力士在HBM3E阶段占据优势，但增长已经放缓；三星的HBM4获得客户好评。在今年实现盈利反转后，三星有望在明年拿下HBM第一。”

MS Hwang补充：“明年存储价格有望维持高位。今年HBM价格涨幅落后于普通DRAM，现在正在追赶。长期供货协议（LTA）对价格形成支撑，同时新增供给紧张，主要新建晶圆厂要到2028年才投产。短期来看，不同厂商的长期协议条款会造成业绩分化，但长期趋势向上是一致的。”

从产品结构来看，尽管HBM营收几乎翻倍，但普通DRAM（DDR/LPDDR）增速更快，因此HBM在DRAM总营收中的占比反而出现下滑。副总监Brady Wang针对这一结构变化解读：“智能体AI催生了前所未有的普通DRAM需求。根据我们云AI算力追踪数据，GPU与CPU配比已经从4:1大幅收窄至2:1，甚至向1:1演进。以英伟达Vera Rubin机架为例，单颗CPU配套的DRAM容量相比上一代提升近三倍，达到1.5TB。”

Brady Wang继续说道：“巨大的需求推高DDR、LPDDR平均售价至历史高点，两者营收同比分别大涨500%、近400%。服务器CPU的DRAM消耗量显著提升，普通DRAM需求随之走高，明年每吉比特售价还将继续上行，这会给边缘市场带来成本压力。”