放弃ALD？苹果下一代HMO OLED优先考虑溅射工艺

据业内消息，苹果在为下一代OLED面板研发高迁移率氧化物（HMO）技术时，正考虑将溅射作为优先选用的沉积工艺，不过最终量产方案尚未确定。三星显示与LG Display同时在研发溅射和原子层沉积（ALD）两种技术路线。

业内消息称，苹果在HMO技术开发中优先沿用现有的溅射工艺。ALD薄膜精度与特性控制方面具备优势，但设备和材料成本偏高，因此苹果转而评估成本更低的溅射方案作为替代。HMO技术有望用于MacBook、iMac等IT产品的下一代高分辨率OLED屏幕。目前高端OLED面板普遍采用低温多晶氧化物（LTPO）技术，该方案结合硅半导体与氧化物半导体。如果HMO性能达到预期，部分硅制程可以被氧化物技术替代，从而简化制造流程、降低生产成本。

三星显示正在开发基于溅射的HMO技术，同时也在评估ALD方案。该公司正在验证，能否在大尺寸基板上满足苹果要求的电子迁移率与可靠性指标。消息称，苹果先在其位于中国台湾的研发基地完成HMO相关技术评估，之后才委托三星显示验证该技术适配8代大尺寸产线的可行性。

LG Display同样在其6代中小尺寸OLED产线上开发基于溅射的HMO技术，同时并行开展ALD相关研究。该公司去年展示过一款搭载ALD制备氧化物薄膜晶体管（TFT）的OLED样品，电子迁移率约40 cm²/V・s。不过考虑到新增设备投入带来的资金压力，LG Display更倾向于复用已有的溅射设备。

HMO技术用于提升薄膜晶体管（TFT）性能，TFT负责控制OLED屏幕每个像素的开关与亮度。传统氧化物TFT的电子迁移率约10 cm²/V・s，而HMO目标将迁移率提升至30–50 cm²/V・s。更高的电子迁移率可以承载更大电流，更适配高分辨率、高刷新率屏幕。

溅射和ALD都是用来制备TFT半导体薄膜层的沉积工艺。溅射依靠等离子体轰击固体靶材，使原子脱离靶材并沉积到基板上，可复用现有OLED产线设备；但想要同时实现高迁移率与高可靠性，还需要优化材料配方与薄膜结构。ALD依靠气态前驱体逐层沉积薄膜，能够精准控制薄膜厚度与组分，更容易保障器件电学特性和稳定性，缺点是设备与原材料成本高昂。

对于HMO方案来说，屏幕成品维持高电子迁移率尤为关键：即便单颗器件阶段达标，经过多道制造工序，或是器件受热、光照之后，电学特性仍有可能发生漂移。两家企业正在对不同沉积方案开展测试，以解决这类稳定性问题。

一位业内人士表示：“三星显示和LG Display都以溅射方案为主、同步研究ALD。ALD在实验室阶段的性能优势已经得到验证，但出于成本考量，溅射方案仍在持续测试优化。”