佳能存储KrF光刻机热销，NIL冲刺2027年量产导入

佳能公布了2026年第三季度业绩，营收同比增长4.9%，达到11588亿日元；营业利润同比增长10.3%，为971亿日元；营业利润率提升0.4个百分点至8.4%。负责半导体制造设备业务的工业事业单元，营收同比下滑13.7% 至737亿日元，营业利润同比下滑9.2% 至127亿日元，营业利润率提升0.9个百分点至17.2%。公司预计2026全年营收3386亿日元，同比下降6.2%；营业利润586亿日元，同比下降6.3%。

佳能整体业绩概况 佳能整体业绩概况

存储用KrF光刻机预计Q4出货87台

佳能工业事业单元由光学设备与产业设备两大板块组成。光学设备包含半导体制造光刻机和平板显示（FPD）光刻机。

工业事业单元业绩概况

2026年第三季度，半导体光刻机（KrF/i线光刻机）出货42台，低于去年同期。不过，单价高于i线光刻机的KrF设备，受益于AI相关需求扩张，在存储芯片领域销量增长，带动半导体设备板块营收实现增长。为应对旺盛需求的扩产工作正按计划推进，预计第四季度出货量将大幅提升至87台，2026全年该业务营收有望实现增长。

FPD光刻机市场低迷，HBM成膜设备订单增加

另一方面，本季度FPD光刻机仅出货2台，预计2026全年出货20台，低于上一年。佳能表示，受美国关税、存储芯片涨价影响，搭载显示屏的终端产品价格走高，需求大幅萎缩。面板厂商随之推迟资本开支，FPD光刻机市场阶段性收缩。

但同时也出现积极信号：面向IT面板的新增投资、面板厂商为智能手机高端化、轻薄化重启投资的动向已经显现。佳能预计2027年之后，FPD光刻机出货量将会回升。

产业设备板块中，OLED生产设备受面板厂商推迟投资影响，营收预计下滑。半导体成膜设备受客户规划调整、零部件紧缺影响，2026年营收同样不及去年。不过在AI高需求带动下，HBM等存储相关设备订单正在增加，有望在2027年之后迎来增长。

纳米压印光刻推进验证，目标2027年导入量产

作为下一代半导体设备路线，佳能纳米压印光刻（NIL）正在推进各项工作，计划2027年投入量产。目前采用客户实际晶圆开展的工艺验证进展顺利，2026年6月追加交付的设备也已完成装机调试。现阶段团队正在开展面向量产产线的工艺验证，同时研究方案提升生产效率。

佳能光刻机，2029年产能再高50%

近期有消息称佳能正针对半导体后段微影设备启动大规模扩产计划，到2029年，将后段制程微影设备产能较2026年提升50%，以此承接先进封装赛道快速增长的市场需求。本次扩产落地载体为佳能宇都宫事业所新工厂。该工厂已于2025年9月投产，预计2027年实现满产。佳能将依托这座新基地持续扩充产能规模，同时通过生产工艺、产线管理优化提升整体制造效率，同步放大后段光刻设备交付能力，应对持续走高的客户需求。

本次扩产的主力机型，是面向先进半导体后段工艺的i线微影设备。该机型已经实现对台积电的稳定供货，产品成熟度经过头部制造企业验证。而伴随AI算力产业带动HBM市场持续扩张，HBM配套先进封装产线带来的设备采购需求，进一步打开佳能i线光刻设备的增长空间。佳能半导体设备事业部长三浦圣也表示，自2025年年中前后，相关设备的客户洽询量出现明显激增，市场需求信号清晰。

后段i线光刻主要用于先进封装中的RDL重布线层、扇出封装、中介层等曝光工艺，是HBM、2.5D/3D封装方案里不可或缺的核心装备。不同于大家熟知的EUV、ArF光刻设备服务晶圆前段电路制造，后段光刻聚焦芯片异构集成环节，在硅中介层、多层RDL布线的图形化环节发挥作用。随着算力芯片互联密度不断提高，RDL的线宽线距持续向亚微米级别推进，对后段光刻的套刻精度、大面积拼接曝光能力、良率稳定性都提出更高标准，也直接推高了封测产线对高性能i线步进式光刻机的采购诉求。