加码先进封装，应用材料拟增持BESI至约20%

据报道，应用材料计划将荷兰企业BE Semiconductor Industries（BESI）的持股比例从9%提升至约20%，进一步深化双方面向AI领域先进芯片封装技术的合作关系。

自2025年4月起，应用材料就已是BESI的第一大股东。该公司称，已签署一份加速股票收购协议，拟购入这家半导体设备厂商的更多股份，本次交易尚需通过美国反垄断审查。扩大后的合作将聚焦全新的芯片互连与封装技术，为下一代AI芯片提供技术支撑。应用材料表示，不打算将持股比例进一步提高至20%以上，也不会谋求在BESI获得董事会席位。

两家企业从2020年便开始合作混合键合技术，该技术是高性能芯片所采用的核心先进封装工艺。今年10月初，应用材料宣布将作为创新合作伙伴，入驻Besi正在硅谷建设的EPIC（设备与工艺创新及商业化）中心。本次合作升级后，双方将对先进封装全流程进行联合优化，覆盖晶圆级混合键合，以及在大面板上集成多颗芯片的相关技术。

混合键合不使用传统凸点，直接将铜互连与介质层对接，实现芯片互连。该技术可以缩小芯片之间的间距，提升数据传输速度与集成密度，是高性能AI芯片和3D堆叠芯片的核心封装技术。

将AI加速器、高带宽内存（HBM）等多款芯片封装在一起的方案逐步普及，芯片之间互连的密度与带宽也愈发关键。为匹配这一需求，应用材料与Besi将扩大联合研发，重点面向在同一个封装内集成逻辑芯片与存储芯片的下一代3D IC技术。

具体联合开发项目包括：下一代芯片到晶圆（die-to-wafer）混合键合平台；热压键合（TCB）技术升级；芯片到晶圆、芯片到芯片、芯片到面板集成平台；共封装光学（CPO）所用的光子互连。

芯片到晶圆（die-to-wafer）是将单颗芯片直接贴附到晶圆上的工艺；热压键合（TCB）依靠加热、加压把芯片键合到基板。共封装光学（CPO）把光通信器件贴近计算芯片，提升AI系统内部的数据传输速度、降低功耗。

2020年，双方在应用材料位于新加坡的先进封装研发中心设立联合卓越中心（CoE）。应用材料拿出刻蚀、平坦化、沉积、晶圆清洗、量测与检测技术，搭配Besi的芯片拾取、键合与组装技术开展联合开发。依托该合作，双方推出了面向芯片到晶圆方案的一体化混合键合系统Kinex。应用材料称，这是业内首款一体化die-to-wafer混合键合系统。后续Besi工程师将进驻EPIC中心，和应用材料研发人员共同开发下一代封装工艺。双方不会单独开发孤立的设备或单一工序，而是把从晶圆加工、芯片拾取、键合到检测的整套流程作为连续工艺做整体优化。

应用材料同时表示，先进封装的技术属性正在向前段工艺靠拢。以往封装属于晶圆制造之后的后段组装工序，但混合键合、面板级集成，需要达到前段晶圆制造级别的精度与洁净度。

应用材料半导体产品事业部总裁Prabu Raja表示：“先进封装已经不再只是后段组装工序，而是一项材料工程难题，需要前段晶圆制造级别的精度与洁净度。” 他补充道：“我们不再分步单独开发，而是将整套流程统一协同研发，能够缩短技术落地大规模量产的周期。”

本次联合研发将以硅谷新建的应用材料EPIC中心为核心。配合客户项目拓展，应用材料计划分阶段向该中心投入最高约50亿美元。目标在年内完成投运筹备，将这里打造为研发基地，缩短前沿研究技术落地量产工艺的周期。