SK海力士Q3营收再创新高 英伟达催促加大HBM4 8层产品供应

AI存储这轮行情，又把SK海力士推上了历史新台阶。今日，SK海力士发布截至2026年9月30日的第三季度财务报告，单季营业收入达104.6155万亿韩元（约合5220亿元人民币），营业利润83.3338万亿韩元（约合4158亿元人民币），净利润39.7756万亿韩元（约合1985亿元人民币），季度营收首次站上100万亿韩元。在AI存储需求带动主要产品价格上涨的背景下，公司凭借高附加值产品的竞争力，营收与营业利润再度双双刷新季度历史最高纪录，其中营收和营业利润环比分别增长32%和38%，营业利润率与净利润率分别来到80%和38%。（注：上季度营收为79.3187万亿韩元，营业利润为60.5426万亿韩元。）分产品看，HBM4出货全面展开，面向服务器的DDR5销售大幅增长拉动DRAM业绩321层TLC企业级固态硬盘（eSSD）销售持续扩大。财务结构进一步趋稳，截至三季度末现金及现金等价物达114.5万亿韩元，净现金头寸扩大至98.7万亿韩元。

HBM市场的代际与堆叠博弈，也在财报前后同步上演。据韩媒ZDNet报道，三星电子和SK海力士计划从2027年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4的8层产品，而目前两家公司的主力量产产品仍是HBM4 12层。这一新增供应计划，与英伟达调整下一代AI加速器Rubin Ultra的内存方案直接相关。英伟达最初计划为Rubin Ultra搭载HBM4E12层产品，但自2026年第三季度起开始并行评估多种方案，包括HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层。知情人士称，英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模，混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格，但从2027年中期开始，8层产品占比预计将明显扩大。

英伟达调整方案，主要出于三方面考虑。其一在散热，HBM4的I/O接口宽度较上一代翻倍至2048位，更高堆叠层数会带来更大的热密度和系统散热压力。其二在良率，堆叠层数越高，后段制造环节累计损耗越大，12层产品良率提升难度明显高于8层。其三在供应稳定性，2027年整体DRAM供应仍偏紧，降低单堆叠层数可在同等DRAM晶圆产出下生产更多HBM堆栈，从而提升GPU交付规模。供应链进展方面，两家公司已完成英伟达对HBM4 12层产品的认证，8层产品仍需单独认证。业内人士表示，此前市场曾预期2026年下半年即可供应8层产品，实际进度有所延后；不过8层产品认证难度低于12层，出现额外变数的可能性较低。

这则行业动向与SK海力士自身的扩产节奏相互印证。公司计划年底前将M15X工厂产能提升至最大水平以扩大HBM4生产，预计第四季度HBM4将在出货量和营业收入两方面同时超越HBM3E，确立主力产品地位。针对眼下的市场格局，SK海力士认为AI使用量增加带动基础设施投资扩大，这一良性循环已经确立，AI投资主体正从少数企业扩展至普通企业和国家层面。落到存储市场，公司展望短期由企业级和消费级AI引领需求，中长期由自动驾驶、机器人等物理AI驱动，并判断供给端未能跟上市场扩张步伐，先进制程技术难度提升与新建设施耗时较长，供不应求格局预计延续到2030年。

基于这一环境，公司计划加速扩产并强化产品竞争力，让明年业绩再上台阶。DRAM方面将快速提高第六代10纳米级（1c）工艺比重，增加DDR5和面向AI服务器的LPDDR5 SOCAMM销售；NAND闪存侧计划第四季度将321层工艺比重提升至韩国本土产能的50%以上。为夯实增长基础，公司持续扩大长期供应协议（LTA），已与包括全球大型云服务提供商在内的14家主要客户签署协议，已锁定供应量相当于2027年和2028年总产能的50%以上。随着明年龙仁一期晶圆厂投产，投资规模预计较今年大幅增加。

业绩高歌猛进的同时，SK海力士也兑现股东回报。公司今日发布追加股东回报方案，以2026财年为基准推进合计约100万亿韩元规模的股东回报，其中现金分红30万亿韩元以上、库存股回购及注销总计60万亿韩元以上，履行将自由现金流50%以上用于回报股东的承诺。今日董事会决议通过第三季度现金分红14万亿韩元及库存股回购20万亿韩元，其中10万亿韩元计划全部注销，其余约10万亿韩元用于员工绩效奖金。第三季度分红为每股2万韩元，由反映业绩改善的分红1万韩元和分享铠侠投资成果的特别分红1万韩元构成。SK海力士强调，未来将基于稳健的存储需求增长和技术竞争力创造稳定业绩，并持续与股东共享成果。