DB HiTek IATF 16949续证，发力车规芯片

DB HiTek完成汽车行业国际质量管理体系认证续期。作为韩国晶圆代工行业首家拿到该认证的企业，DB HiTek已维持这项认证23年，目前正进一步完善质量管控体系，支撑自身汽车半导体业务扩张。

DB HiTek表示，其富川厂区与桑宇厂区顺利通过IATF 16949认证续期审核。IATF 16949是汽车行业质量管理体系国际标准，本次认证覆盖这两处厂区全部半导体晶圆代工生产业务。IATF 16949由国际汽车工作组（IATF）制定，该标准设定管理规范，保障汽车零部件生产、供应环节的质量稳定，防范产品缺陷。汽车半导体需要在高温、震动等恶劣环境下依旧稳定工作，因此必须执行严苛的质量管控。

早在2003年，DB HiTek就成为韩国首家取得IATF 16949前身标准ISO/TS 16949认证的晶圆代工厂，此后每三年完成一次认证续期。公司内部还设有名为 “汽车项目” 的专项机制，用于提升汽车半导体的质量与可靠性。该机制对半导体生产流程执行更严格的质控标准，相关生产记录至少留存25年，同时搭建缺陷原因分析体系，将分析结果用于工艺迭代优化。

DB HiTek正在提升工业半导体与汽车半导体的业务占比；相比家电、移动设备用半导体，这两类产品拥有更高附加值。伴随电动汽车、自动驾驶技术普及，汽车半导体市场需求持续上涨，公司计划依托质量竞争优势，扩大高附加值产品供货规模，以此提升盈利水平。

DB HiTek一名相关负责人表示：“本次认证续期，证明DB HiTek的质量管理体系已经达到全球水准。我们会持续打磨、优化这套质量体系，进一步赢得客户信赖。”

上月，DB HiTek宣布已经完成基于8英寸晶圆的1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证。DB HiTek计划正式为客户产品开发提供支持、开拓新客户，并加快搭建2027年量产体系。

SiC是下一代功率半导体材料，对比传统硅材料，它在高温、高压环境下具备更优异的性能，可应用于电动汽车、可再生能源、工业电力设备等领域。目前SiC市场仍以6英寸晶圆为主流，但为提升生产效率、增强成本竞争力，全球头部企业正在向8英寸转型。DB HiTek为应对这一市场变化，一直在推进8英寸SiC工艺技术开发以及代工服务体系建设。

DB HiTek优化迭代了面向大功率MOSFET的SiC工艺技术，实现了优异的电气性能与高可靠性。该公司搭建出全球首套8英寸1200V SiC完整代工工艺流程，建成一套可覆盖从设计、制造、特性测试到可靠性验证全流程的代工服务体系。

为推进8英寸SiC代工业务落地，DB HiTek将向客户提供自主研发的第一代、第二代1200V SiC MOSFET工艺设计套件PDK（Process Design Kit），第三代PDK计划于11月推出。客户借助PDK能够降低前期开发投入，加快原型样品制作，预计可将产品开发周期缩短1年以上。

PDK配套的第二代工艺，在栅极开启电压Vgs (on)=18V条件下，实现比导通电阻Rsp≤2.5mΩ∙cm²、阈值电压Vth≥3V的优异电气性能，并且完成了技术门槛极高的可靠性验证。计划11月发布的第三代工艺，目标在同样18V栅极电压条件下实现比导通电阻≤2.3mΩ∙cm²；同时将验证并达成短路耐受时间SCWT≥2.5μs的短路安全工作区（SCSOA）指标，验证完成后向客户交付对应的PDK。