传三星、SK海力士升级在华工厂，NAND产线瞄准更高层数

AI数据中心对存储芯片的需求持续增长，中国NAND闪存市场的竞争格局也在发生变化。

面对长江存储市场份额不断上升的压力，三星电子和SK海力士正推进中国工厂的技术升级，计划将相关产线转向200层以上的NAND产品。

据报道，三星计划将西安工厂升级至286层V9 NAND生产，SK海力士则准备在大连工厂生产240层及以上的NAND芯片。不过，两家韩国存储巨头在中国的升级计划仍受到美国半导体设备出口管制的影响，具体生产安排需要考虑相关许可要求。这场升级既关系到两家企业满足全球AI存储需求的能力，也折射出中国本土存储厂商崛起后，全球NAND市场竞争的变化。

三星西安工厂瞄准286层NAND

据知情人士透露，三星西安工厂目前生产的NAND闪存芯片约为200层，该工厂贡献了三星全球约40%的NAND产出。三星正通过内部代号为“Monami”的项目，将西安工厂升级至286层V9 NAND生产。按照相关规划，三星希望在2026年12月实现每月5000片晶圆的产出，并在2027年12月将这一数字提升至每月4万片。

三星方面确认，中国工厂的升级工作正在进行，并强调相关工作符合美国出口管制规定。公司表示，此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求，同时称项目不涉及扩大生产产能，也不会新建制造设施。西安工厂在三星全球NAND制造体系中占据重要位置，推进工艺升级有助于其维持产品竞争力，并继续满足不同市场的客户需求。

NAND是一种断电后仍能保留数据的非易失性存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑和固态硬盘，也是AI数据中心存储系统的重要组成部分。在3D NAND技术中，增加存储单元的堆叠层数，有助于提高单位芯片面积的存储密度，并降低单位存储容量的成本。随着数据中心对存储容量的需求增长，厂商持续推进更高层数产品，已成为提升NAND竞争力的重要方向。

SK海力士大连工厂推进240层以上产品

SK海力士也在推进中国生产基地的技术升级。据知情人士透露，该公司计划将大连工厂的NAND产品升级至240层及以上，目前当地生产的产品约为192层。

大连工厂来自SK海力士2021年对英特尔NAND业务的收购，目前仍是这部分业务唯一的NAND芯片制造基地。相关业务后来以Solidigm品牌运营，该公司正在考虑赴美首次公开募股。知情人士表示，SK海力士已获准在大连生产最高240层的芯片，后续可能向美国政府申请在当地开展300层以上NAND产品的研发，为未来可能在美国生产相关产品做准备。

美国出口管制增加升级难度

三星和SK海力士推进中国工厂升级，需要面对美国半导体设备出口限制带来的不确定性。自2022年起，美国陆续对部分面向中国的半导体制造设备实施出口管制。两家企业目前需要每年申请许可，才能在中国工厂安装包括刻蚀设备在内的美国制造设备。

2025年，美国商务部工业与安全局曾表示，计划允许相关外国存储芯片厂商继续运营在华现有工厂，但不打算批准涉及技术升级和产能扩张的许可申请。这增加了两家企业在中国工厂配置设备、推进新工艺和制定长期投资计划时的难度。对于依赖先进制造设备实现产品迭代的存储厂商来说，设备许可情况可能直接影响新工艺的落地进度。

三星表示，其升级工作符合美国出口管制规定，并称项目不涉及扩大产能或新建工厂。SK海力士则表示，一直在与美国政府沟通的情况下为大连工厂安装设备。不过，相关部门尚未明确回应两家公司此次计划所需设备的出口许可具体获批情况，因此，升级计划能够推进到什么程度仍有待观察。

长江存储份额升至38.5%

两家韩国企业加快中国工厂升级的另一项背景，是长江存储在中国NAND市场的份额持续上升。

根据Omdia的数据，2026年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，高于2025年全年的28%，并超过三星电子。同期，三星在中国NAND市场的份额从36%降至33.5%，SK海力士的份额则从20%降至17%。

在产品布局方面，长江存储目前主要提供160层和232层NAND产品，同时已小规模生产294层产品，并计划推进300层以上的产品。三星在中国以外的市场已经销售最高286层的NAND芯片，并于2026年8月展示了超过400层的NAND原型产品；SK海力士在中国以外市场销售的NAND芯片则最高达到321层。相比之下，两家公司中国工厂目前生产的产品层数相对较低，工艺升级有助于缩小不同制造基地之间的技术差距。

长江存储产品迭代与市场份额的增长，正在加大国际存储厂商在中国市场的竞争压力。对于三星和SK海力士而言，推进中国工厂的技术升级，有助于更好地应对本土竞争，同时满足全球客户对存储产品的需求。

存储巨头需要平衡市场与政策约束

三星和SK海力士此次升级中国工厂，受到全球AI存储需求增长、中国本土存储厂商竞争加剧等因素共同推动。更高层数的NAND产品能够提升存储密度，帮助厂商改善单位存储容量的成本表现，而中国工厂在两家公司全球制造体系中仍具有重要地位，维持其产品竞争力也关系到现有业务的持续运营。

与此同时，美国设备出口管制和许可要求增加了技术升级的复杂性。三星西安工厂贡献了其全球约40%的NAND产出，SK海力士大连工厂则承担着相关NAND业务的制造任务，两家企业都需要在满足市场需求、推进工艺升级和遵守出口限制之间作出安排。

随着长江存储继续推进更高层数NAND产品，三星和SK海力士能否顺利完成中国工厂升级，以及美国相关许可最终允许哪些设备和工艺落地，将成为影响中国NAND市场竞争格局的重要因素。