从沟槽到平面：罗姆第五代SiC技术路线变了？

尽管电动汽车行业阶段性调整，让SiC（碳化硅）市场短期遇阻，但ROHM（罗姆）的技术开发节奏丝毫未减——在2026年6月的PCIM Europe展会上，罗姆同时亮出两张牌：从沟槽型回归平面型的第五代SiC MOSFET，以及面向车载客户深度改良的TRCDRIVE pack Type 2功率模块。

前者在相同耐压、相同芯片尺寸下，将高温（Tj=175℃）导通电阻较第四代降低约30%；后者则从散热结构到端子设计，全面响应车厂诉求。罗姆的这一操作并非简单的技术调整，而是其在经历了沟槽型SiC MOSFET量产初期的良率挑战与可靠性验证之后，对“性能、成本、可靠性”半导体不可能三角做出的务实回应。

（8英寸SiC MOSFET板）

技术转向：从沟槽型回归平面型

2026年4月，罗姆正式发布第五代SiC MOSFET，并于7月开始提供搭载该芯片的分立器件与模块样品。最引人注目的变化，是器件结构从第四代的沟槽型（Trench）重新回到平面型（Planar）。

回顾罗姆的SiC演进路线：第二代采用平面型；第三、第四代切换为沟槽型；第五代则再度回归平面型。

（从第二代到第五代）

在功率半导体领域，沟槽栅一直被视为降低导通电阻的“正统路线”，行业普遍认为这一结构更有利于器件高密度集成。但罗姆在第五代SiC MOSFET上做了一个反直觉的决定——从沟槽栅回归平面栅，这一技术转向显得不同寻常。

事实上，平面型并非技术倒退。它拥有一个沟槽型难以比拟的优势——栅源电压（VGS）允许范围更容易扩大，而这恰恰是罗姆从第四代客户那里收到的最集中反馈之一。

双重突破：VGS范围扩大与导通电阻降低

罗姆第五代SiC MOSFET在两个关键维度上同时实现了突破：

一是，VGS允许范围显著扩大。稳态下VGS额定值达到-7V至+23V，短时尖峰可耐受-10V至+26V。这一改进直接回应了客户在实际应用中对驱动电压裕度的需求，降低了因电压尖峰导致器件损坏的风险。

（第五代SiC MOSFET扩大了VGS允许范围）

二是，在回归平面型的同时，导通电阻不降反升。相同耐压、相同芯片尺寸下，高温工作时的导通电阻较第四代降低约30%。罗姆负责人坦言，如何在发挥平面型VGS优势的同时实现导通电阻的大幅降低，是整个开发过程中最大的技术难点。

这一看似矛盾的组合（平面型结构却实现了超越沟槽型前代的导通电阻），恰恰体现了罗姆在工艺优化上的深厚积累。第五代产品面向电动车辆（xEV）牵引逆变器、AI服务器及数据中心电源等场景，预计将在能效提升中扮演关键角色。

双轨并行：内部竞争驱动的开发体系

罗姆第五代选择平面型，并不意味着其放弃了沟槽型路线。相反，罗姆同时设立了平面型与沟槽型两个独立开发团队，两条技术路线并行推进。

据罗姆负责人透露，两个团队在共享技术信息的同时，部分领域形成了一种“内部竞争”的关系。这种双轨开发体系被视为第五代平面型能够实现导通电阻大幅降低的重要原因之一——竞争压力倒逼双方不断突破各自技术路线的极限。

在行业内，部分厂商已将开发重心从平面型转向沟槽型，走单一技术路线。而罗姆则坚持“两者都重要”的策略，通过维持两支开发队伍并行运转，罗姆得以保持约每两年推出一代SiC MOSFET新品的迭代节奏，在快速变化的市场中保持技术活跃度。

车载模块升级：Type 2的客户导向改良

除了芯片层面的迭代，罗姆在车载SiC功率模块上也在持续改进，其推出的TRCDRIVE pack Type 2是在第一代产品基础上，根据车规客户的反馈进行了针对性改良的版本。Type 2新增了Medium规格，形成了Small、Medium、Large三种尺寸的完整产品线，并同时兼容第四代与第五代SiC MOSFET。

（Type 2扩展为三种尺寸）

在散热结构方面，Type 1通过导热界面材料（TIM）安装到散热器，Type 2则支持烧结接合，模块背面也从铜（Cu）改为银（Ag）镀层。端子高度经过重新设计，不再需要散热器侧预留台阶，客户可使用平面散热器，安装便利性大幅提升。

Type 2的端子结构，同样经过了优化。AC侧端子从两根合并为一根，回应了客户“希望整合”的诉求；新增低边MOSFET漏极检测端子，解决了以往利用高边源极检测端子监测低边时、内部布线电阻影响测量精度的问题。信号端子位置精度从±0.35mm提升至±0.25mm，最大结温从175℃提升至200℃（产品寿命内200℃工作累计不超过100小时）。

（Type 2的主要特点）

结语：逆势加码背后的战略定力

尽管全球半导体市场整体面临周期性调整与需求波动，罗姆的SiC业务在当下依然保持了强劲增长。2026财年，罗姆全年SiC整体业务目标预计增速超过30%。其中，高附加值的SiC器件和模块业务预计将实现55%以上的同比增长，成为拉动公司整体营收修复的核心动力。

当整个SiC市场站在从“普及期”跨入“主流期”的关键路口，行业内多数参与者都在追崇新技术概念时，罗姆却用第五代SiC产品交出了一份与众不同的答卷：不盲从技术潮流，而是根据实际应用需求，选择最合适的技术路线。这份对平面栅技术的重新选择，从来不是技术层面的“回头路”，而是罗姆在深耕行业多年后，对客户需求完成深度洞察后的战略选择。