三星、SK海力士Q3营业利润有望创历史新高

三星电子与SK海力士两大存储芯片巨头，预计将在2026年第三季度交出一份创历史纪录的成绩单。受全球人工智能（AI）数据中心大规模投资驱动，高端存储芯片需求持续井喷，而行业整体供应缺口短期内难以弥合，推动了内存价格一路走高，两大韩国芯片巨头的季度盈利有望双双创下历史新高。

根据市场研究机构Wise Report近日发布的预测数据，三星电子第三季度营业利润预计将达到111.38万亿韩元，同比增长815.47%。这将是韩国企业历史上首次实现单季度营业利润突破100万亿韩元大关，具有里程碑式的意义。与此同时，三星电子第三季度营收预计将达到204.76万亿韩元，同比增长137.93%，同样将超越今年第二季度刚刚创下的历史最高纪录。

SK海力士方面，同样表现亮眼。该公司第三季度营收预计将达到99.54万亿韩元，营业利润预计为78.13万亿韩元，同比分别大幅增长307.13%和586.34%。两大巨头合计营业利润将达到约190万亿韩元，这一数字甚至超过了许多国家全年的GDP规模，充分彰显了存储芯片行业在AI时代的巨大盈利潜力。

结构性供应短缺是核心推手

本轮存储芯片行业的超级景气周期，其根本驱动力在于AI基础设施建设带来的爆发式需求与行业产能结构性错配之间的矛盾。随着全球科技巨头纷纷加大对AI数据中心的投资力度，对高带宽内存（HBM）和高端DRAM的需求呈现指数级增长。然而，存储芯片的产能扩张需要漫长的周期和巨额的资本投入，短期内难以快速响应市场需求的激增。

根据TrendForce集邦咨询预测，2026年第三季度，通用DRAM价格环比涨幅最高可达18%，NAND闪存价格环比涨幅最高可达15%，价格的持续上涨直接转化为企业利润的大幅增厚。英特尔CEO陈立武近期在一场AI基础设施峰会上发出警告：“随着AI应用持续推动内存需求攀升，明年供应短缺和价格飙升的局面将进一步加剧。”这一表态从下游客户的角度，印证了存储芯片供应紧张的严峻程度。

业内专家对半导体行业的长期前景，普遍持乐观态度。韩国元大证券（Yuanta Securities）研究分析师白吉铉预测，即便未来内存价格上涨步伐有所放缓，供需紧张的局面仍将持续至2027年至2028年。他指出，供应约束正在创造一个对芯片制造商极为有利的市场环境，存储行业正处于一个前所未有的长景气周期之中。

HBM产能挤压加剧通用DRAM短缺

值得关注的是，随着三星电子和SK海力士将越来越多的产能向用于AI芯片的高带宽内存（HBM）倾斜，通用DRAM的供应短缺问题正变得日益严峻。HBM作为AI加速器的核心配套存储芯片，其技术门槛高、生产周期长、利润率也更为丰厚，因此成为两大巨头产能分配的优先方向。

根据KB证券（KB Securities）的分析报告，三星电子HBM在其全部DRAM产能中的占比，预计将从2025年的27%提升至2027年的40%。与此同时，通用DRAM的产能占比将从73%下降至59%。这种产能结构的调整进一步加深了通用DRAM的结构性供应短缺，形成了“HBM供不应求、通用DRAM也供不应求”的双重紧缺格局。

供应紧张的程度，从交货周期上可见一斑。据悉，用于服务器的大容量通用DRAM——DDR5的交货周期，截至本月已延长至惊人的52周。KB证券研究主管金东元表示：“正常情况下交货周期约为6周，如今延长了8倍以上，从下单到实际交付需要超过一年时间，这是一个非同寻常的状况。”他判断，这种供应短缺的局面将长期持续，短期内难以得到根本缓解。

HBM4成未来盈利关键变量

对于两大巨头未来的盈利表现，下一代产品HBM4和HBM4E的商业化进展被视为关键变量。三星电子的HBM4营收预计仅在第三季度就将环比增长两倍以上，下半年HBM4在其全部HBM营收中的占比预计将超过60%。若将计划于明年量产的第七代HBM4E的贡献考虑在内，2027年HBM4系列产品的营收预计将比2026年翻一番以上。

SK海力士同样有望凭借HBM需求的持续扩张，维持强劲的盈利能力。未来资产证券（Mirae Asset Securities）研究分析师金英健指出，HBM4目前不仅被图形处理器（GPU）所采用，还开始被应用于被称为专用集成电路（ASIC）的定制AI芯片中。这标志着HBM的客户群体正在不断拓宽，市场空间进一步打开。

业内普遍预计，两大存储巨头创纪录的表现将延续至第四季度。随着存储芯片制造商持续调整产品组合，向高附加值的HBM产品倾斜，其定价权将进一步增强，盈利能力有望再上一个台阶。在AI浪潮的推动下，全球存储芯片行业正迎来一个历史性的黄金发展期，而三星电子和SK海力士作为行业双雄，无疑将是这一轮超级周期的最大受益者。