英伟达押注玻璃基板，设备成量产关键卡点

据报道，英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，希望韩国、日本等地的基板厂商在两年内完成相关开发，最快于2028年前落地。此前，英伟达已经与台积电推进面板级封装，也与康宁合作光互连产品，如今又把目光伸向玻璃基板及其制造设备，意味着这家AI芯片巨头正在把供应链布局进一步向上游延伸。

设备如今已经成为玻璃基板量产绕不开的一环。SCHMID在2026年上半年财报说明会上表示，公司正与英特尔、英伟达、AMD等产业链核心供应商合作开发玻璃基板设备。公司首席销售官Roland Rettenmaier明确提到，TGV，也就是玻璃通孔的金属化，是当前最主要的技术瓶颈，终端客户认证也尚未完成。换句话说，玻璃基板距离真正进入大规模生产，卡住的已经不只是材料本身，还包括打孔、金属化、对位和良率等整套工艺。

英伟达此前已经释放了明显信号。黄仁勋与SK集团会长会面时，就曾讨论包括玻璃基板在内的下一代半导体合作。今年5月，英伟达又与康宁达成多年期商业与技术合作关系，并通过认股权证安排向康宁追加投资最高27亿美元。康宁计划在美国新建3座制造工厂，把美国光连接制造能力提升10倍。严格来说，这一合作聚焦的是AI基础设施所需的光连接产品，并非纯粹的玻璃基板，但它同样说明英伟达正在提前锁定关键上游产能和技术。

与此同时，台积电持续推进CoPoS面板级封装。TrendForce预计，台积电的310×310毫米CoPoS方案将在2026年进行设备和材料验证，2027年进入试产，2028年下半年量产，玻璃则被视为后续演进方向。

玻璃开始被重新审视

为什么整个产业链突然开始认真研究玻璃？核心还是AI芯片越来越大。

第一，传统ABF、BT等有机基板开始承受尺寸、热膨胀和翘曲压力。英特尔早在2013年前后就开始相关预研，2023年正式公布玻璃芯基板路线图，但到目前仍没有全面量产。英特尔指出，相比有机材料，玻璃具有更好的平整度、机械稳定性和尺寸稳定性，可实现更高的互连密度。其热膨胀系数还能调节到约3至9 ppm/℃，与硅更加接近，在大尺寸封装中能够降低热应力和翘曲。英特尔此前还披露，玻璃基板有望实现约10倍互连密度，并降低图形畸变和翘曲。

第二，面板级封装正在进一步放大玻璃的优势。AI芯片集成GPU、HBM和多个Chiplet后，封装面积持续增加。以英伟达为例，Blackwell封装面积约2739mm²，下一代Rubin Ultra预计达到7470mm²。面对这样的尺寸，300毫米圆形晶圆用于制作硅中介层时，边缘会产生较大浪费，而510mm×515mm矩形玻璃面板的面积利用率可以超过75%，更适合大尺寸封装。

第三，高速光互连同样需要玻璃提供低损耗平台。在CPO中，随着信号速率和互连密度不断提高，材料本身的介电损耗、串扰和信号完整性越来越重要。玻璃的介电损耗低于传统有机材料，适合高速信号传输。ECTC 2025上，研究人员已经展示直径约6μm、纵横比超过15:1的TGV；佐治亚理工学院的研究则实现了220GHz堆叠玻璃器件，在200GHz附近实现约0.3dB的过渡插损，说明玻璃在高速互连领域已经具备实验验证基础。

真正的难点，开始转向制造

这也是SCHMID等设备商开始受到关注的原因。玻璃基板量产需要在大尺寸面板上完成激光打孔、TGV金属化、精细线路制造和高精度对位，其中任何一个环节出现缺陷，都会直接影响整片面板的良率。

尤其是TGV金属化，需要让金属稳定进入微米级通孔并形成可靠导通，这对电镀设备、化学工艺、设备精度和整体工艺窗口都提出了更高要求。SCHMID目前与英特尔、英伟达、AMD供应链厂商合作，本质上就是在提前把设备这一环补上。

国内产业链也已经开始加速跟进。近日，京东方在IPC 2026开幕式上表示，公司正准备投资半导体玻璃基板载板量产线，并与客户共同开发相关产品。

沃格光电则长期布局TGV玻璃基线路板。公司半年报显示，相关业务仍处于产业化发展初期，部分产品已经从送样验证进入小批量交付阶段，公司正在持续推进重点产品的客户验证和量产导入。此前，沃格光电的1.6T光模块玻璃基载板也已经完成小批量送样。

设备端同样已经出现量产订单。盛美上海今年已获得国内先进封装客户首台510mm×515mm面板级水平式电镀量产设备订单，计划于2027年第一季度交付。公司目前的设备已经支持310mm×310mm、510mm×515mm和600mm×600mm等面板尺寸。对于未来的玻璃基板和面板级封装来说，这类大尺寸电镀能力正是从实验线走向量产线必须补齐的基础设施。

从英伟达寻找SCHMID等设备合作伙伴，到康宁、台积电，再到京东方、沃格光电、盛美上海加速布局，玻璃基板正在从长期研发课题进入产业化验证阶段。