台积电再提速,年底2纳米12英寸晶圆月产能有望达到12万片

来源:半导纵横发布时间:2026-09-28 16:19
台积电
晶圆代工
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近日,有消息称,在头部芯片客户持续追加订单的带动下,台积电2纳米(N2)产线爬坡进度超市场此前预期,预计到今年年底,2纳米12英寸晶圆月产能有望达到12万片,高于行业此前普遍预估的9万至10万片区间,原本规划在2027年达成的产能目标,或将提前落地。消息一出,也直观反映当前AI算力与高端手机芯片对最先进制造工艺的旺盛需求,先进晶圆代工的供给格局正迎来新一轮变化。

近期,苹果、英伟达、AMD、高通、联发科等主要客户近期纷纷上调2纳米制程的订单规模,整体追加幅度约10%至20%。面对持续涌入的订单,台积电启动产线加速扩产,同步推动新竹、高雄多座2纳米晶圆厂同步上量。台积电方面并未对市场传闻与客户订单情况进行评论,这也是其对待供应链产能传闻的一贯做法。但公司管理层此前在北美技术论坛上提及,今年将迎来五座2纳米工厂同步爬坡,其中新竹两座、高雄三座,2纳米投产首年的晶圆产出规模,相比3纳米量产首年高出约45%,2026至2028年,2纳米产能的年复合增长率预计可达70%,先进制程扩张节奏明显快于上一代节点。

2纳米是台积电首代采用GAA全环绕栅极纳米片晶体管架构的量产工艺,也是从FinFET向GAA晶体管切换的关键节点。对比3纳米,在同等功耗条件下,N2可以实现约15%的性能提升;若保持相同性能,则功耗可以下降24%到35%,晶体管密度提升约15%,天然适配AI高性能计算、高端移动SoC等对算力、能效都极为敏感的芯片产品。除基础N2版本之外,台积电还规划了N2P、A16等衍生工艺,N2P在N2基础上继续优化性能,且GDS设计文件可直接兼容;A16搭载SPR超级电源轨,面向供电网络复杂的HPC芯片,N2P与A16均计划在今年下半年进入量产阶段,进一步丰富2纳米工艺平台的产品覆盖能力,满足不同客户的差异化需求。

在客户结构上,苹果是2纳米产能的核心预定方,优先锁定大量初期产能,用于新一代手机SoC。A20 Pro也成为首款落地的2纳米手机芯片。而AI算力芯片厂商,则是本轮追加订单的主要增量来源。英伟达Rubin GPU、AMD MI450、谷歌TPU v7等新一代算力芯片,都规划导入2纳米制程。AI芯片对晶体管规模、带宽、功耗的要求持续抬升,先进制程是提升单卡算力、控制功耗墙的重要手段,各大算力厂商为保障下一代产品的推出节奏,争相提前锁定稀缺的先进制程晶圆产能,部分客户甚至愿意接受溢价来获取产能配额。市场信息显示,2纳米晶圆报价约3万美元每片,较3纳米有明显上浮,先进制程的高单价,也将持续推高台积电的营收与毛利率水平。

从产能爬坡的时间线来看,台积电2纳米在2025年第四季度进入量产阶段,投产初期月产能大约3.5万片。进入2026年后,良率持续改善,产线设备逐步到位,产能稳步抬升,今年年初月产能突破5万片。按照最新供应链预期,年底冲刺至12万片/月,意味着在短短一年多时间,2纳米产能实现数倍增长。当然需要注意,12万片为名义产能,实际可出货的有效晶圆,仍会受到良率波动、设备维护、生产排期、客户产品流片验证进度等因素影响,名义产能不等于可直接交付的成品芯片。先进制程的爬坡从来不是线性增长,即便目标已经上调,后续良率、设备稳定性、材料供应,依旧存在不确定性,这也是半导体制造行业的固有特点。

这一轮产能提速,背后是台积电持续加码的资本投入。近年台积电资本开支维持在高位,资金重点投向3纳米、2纳米产线建设,同时配套先进封装、检测等相关产线。在先进制程之外,台积电的3DFabric先进封装技术,也和2纳米工艺协同优化。AI芯片不再单纯依靠晶体管微缩,芯片堆叠、异构集成已经成为行业主流路线。2纳米裸片搭配先进封装,可以把多颗芯粒、HBM存储整合在同一个系统中,提升整体算力密度。这意味着,2纳米的价值不只是单颗芯片的工艺升级,更是整套面向AI时代的系统制造方案,先进封装和先进制程互相拉动,共同承接HPC需求。

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