投资近百亿，英飞凌泰国工厂将投产

德国芯片厂商英飞凌科技将于10月1日正式启用泰国半导体工厂，项目投资超480亿泰铢（折合14.4亿美元），助力泰国打造更先进的本土芯片产业。

泰国投资委员会（BOI）称，本次投资涵盖功率模块制造、半导体测试以及一座研发中心。该工厂将生产用于电动汽车、能源系统与数据中心的功率模块，预计雇佣超过 5000 名泰国本地员工。

英飞凌将为600多名泰国科技人员提供培训，并选派130余名员工赴海外接受专业培训。公司计划投入至少28亿泰铢用于研发，培育至少14家泰国本土供应商，并力争将本地材料与零部件采购占比提升至60%。该工厂将成为英飞凌继德国、中国之后的第三大功率模块生产基地。

实际上，英飞凌科技在全球范围内设立了多个生产基地，确保其半导体产品的稳定供应和贴近主要市场。

英飞凌科技（无锡）有限公司位于中国江苏省无锡市，是英飞凌全球最大的生产基地之一，也是全球最大的IGBT（绝缘栅双极晶体管）制造中心。该基地主要负责分立器件、智能卡芯片、功率半导体的封装测试，产品广泛应用于能源、安全、消费、工业和汽车等多个领域。除了无锡，英飞凌在中国还有苏州、北京亦庄开发区等地的生产基地，涉及半导体的设计、制造和测试。

欧洲是英飞凌的总部所在地和核心基地，有5家工厂，包括2家前道（德国的德累斯顿和奥地利的菲拉赫）、2家后道（德国的瓦尔施泰因和匈牙利的采格莱德），以及一家包括前道和后道一起的德国的雷根斯堡。奥地利菲拉赫和德国雷根斯堡这两地是英飞凌节能半导体的主要研发和生产中心，负责生产应用于工业和汽车节能行业的高端半导体产品。

此次在泰国建成第三大功率模块生产基地，主要是项目契合泰国半导体发展战略。该战略目标为前五年吸引至少5000亿泰铢投资，到2050年吸引2.5万亿泰铢投资。

今年早些时候，泰国总理兼内政部长阿努廷签署总理令，正式成立国家半导体和先进电子产业政策委员会，以落实政府推动经济结构转型升级、培育新增长引擎的战略部署。泰国提出了一项为期25年的半导体战略——“国家半导体路线图2050”，目标是到2050年成为东盟先进半导体和电子产业中心的发展目标，计划吸引2.5万亿泰铢投资，培养23万名高技能人才，并推动“泰国制造芯片”战略落地。

该委员会由总理担任主席，成员包括外交、工业、能源、数字经济与社会、高等教育等部门负责人，以及相关业界代表。委员会主要负责制定产业发展战略和目标、审议相关项目和政策、统筹协调政府与私营部门资源、监督评估实施成效，并定期向内阁报告进展。

泰政府希望通过完善半导体和先进电子产业供应链、加强人才培养和投资促进，推动产业结构升级，提升国家竞争力，进一步巩固泰国作为东盟重要半导体和先进电子制造中心的地位。

上周，泰国投资促进委员会宣布，该国已批准首个国家半导体和先进电子战略，目标是到2050年累计投资约800亿美元，年产业收入达1500亿美元。该战略分三个阶段实施，旨在到2030年加强芯片组装和测试，到2040年吸引包括芯片设计和晶圆制造在内的上游投资，到2050年建立完整的国内供应链。

在技术方向上，泰国将重点发展三大平台：一是面向AI、数据中心和高速通信的光子技术；二是面向电动汽车、储能系统和电网的功率半导体；三是基于现有MEMS基础，发展面向联网设备、自动化、汽车、智能终端和医疗应用的传感器。

该战略目标是创造超过23万个新的就业岗位。一项人才培养计划的目标是到2030年培养8.66万名人才，其中包括8.49万名高技能人才和约1700名高级研究人员。BOI表示，从2023年到2026年上半年，共收到879个半导体和先进电子项目投资促进申请，总投资额约9090亿泰铢，折合约272亿美元，涵盖芯片制造、PCB、硬盘、AI服务器、网络设备、电源管理及汽车电子等领域。

为支持战略落地，泰国还将从税收优惠、补贴和低息融资，高技能人才培养，研发与芯片设计基础设施建设，产业园区、水电、清洁能源和灾害韧性建设，以及监管改革和商业便利化等方面提供配套支持。