美光预警：内存供给缺口延续至2028年

AI大模型持续爆发拉动存储需求上行，存储芯片行业供需错配的压力正在持续放大。美光科技CEO高级顾问、前执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana对外发声，当前内存短缺已经蔓延至全部市场板块，并非仅局限于HBM这类面向AI服务器的高端存储产品。即便全球存储厂商同步开启大规模扩产，短期供给依旧难以跟上持续上调的客户需求，行业真正具备实质增量的新增供应，预计要等到2028年才开启产能爬坡，至于供需重新回归平衡的时间节点，目前行业仍然没有清晰的预期。

在Six Five Summit 2026半导体论坛上，Sumit Sadana完整拆解了当前存储市场的底层矛盾。不同于以往存储周期中单一品类的紧缺，本轮行情的特殊性在于需求普涨，服务器、PC、消费电子、车载等几乎所有终端市场都在向上修正存储采购量。美光持续跟踪客户需求预测，每年拿到的需求指引都处在上调通道，客户对大容量、高带宽存储产品的渴求仍在不断抬升。

供给端的瓶颈，是本轮存储紧缺难以快速缓解的核心原因。美光正在全球推进大约20个扩产项目，持续加大资本开支投入，新建晶圆厂、洁净室、封测产线多线并行。但先进存储芯片属于重资产行业，晶圆厂建设、设备进场、良率爬坡都需要漫长周期，HBM等高端存储产品的制造工艺复杂度更高，产能复制难度很大，短时间很难释放海量增量产能。Sadana强调，2028年仅仅是新增供应爬坡的起点，产能规模还需要后续数年持续释放，存储行业已经告别过去快速起落的传统周期，进入由AI驱动的长期高需求阶段，长期供货协议、上下游联合研发、端侧AI与机器人带来的增量需求，将会重塑整个存储行业的商业模式。

一边是供给端长期承压的行业预判，另一边美光正在加速全球化制造网络落地，印度古吉拉特邦萨南德封测工厂成为其重要的海外产能支点。美光首席执行官Sanjay Mehrotra披露，这座印度本土首座半导体封装测试基地的产能即将迎来跨越式增长，2026年工厂芯片封测产能为数千万颗，到2027年将提升至数亿颗级别。该工厂今年2月正式启动商业化生产，项目总投资约27.5亿美元，拥有超过50万平方英尺的洁净室空间，属于全球规模靠前的单层封测洁净车间。

萨南德工厂并不承担晶圆制造环节，核心职能是承接来自美光全球晶圆基地输送而来的先进DRAM与NAND晶圆，完成封装、测试以及内存模组组装，最终产出成品存储产品。这座基地投产不久，美光便将首批带有“印度制造”标签的内存模组交付戴尔，用于戴尔在印度本土生产的笔记本电脑。Sanjay Mehrotra表示，当前萨南德工厂的产出规模，已经超过印度整个笔记本电脑市场的存储总需求量，工厂生产的DRAM、NAND成品，正在源源不断销往全球各地客户，成为美光全球交付网络重要一环。

美光将印度封测基地的产能扩张，直接锚定人工智能产业长期增长需求。Sanjay Mehrotra反复重申存储对于AI产业的底层价值，更大规模的大模型，必然对内存容量、带宽、密度与能效提出更高标准。“AI始于数据，没有数据就训练不出大模型；而缺少内存与存储，数据无法流转、无法扩容，更不能转化成模型输出的答案。”在AI算力体系之中，算力芯片负责运算，存储芯片则承担数据承载、流转的核心职能，模型参数、海量训练数据集、长上下文窗口推理全部需要依托大容量高速存储，存储已经不再是算力配套的普通元器件，而是支撑AI产业发展的战略性基础设施。

市场需求结构的变化，正在重构存储行业的增长逻辑。过去存储行业具备鲜明周期性，供需快速轮动，价格随之起伏。AI浪潮到来之后，需求的持续性、量级都发生质变，AI服务器、AIPC、智能终端、自动驾驶多赛道同步拉动存储比特需求上行，需求的韧性远超传统周期。HBM等高带宽存储是市场焦点，但普通DRAM、NAND的需求同样保持强劲，这也是本轮短缺覆盖全市场的根本原因。

放眼全球，各大存储厂商都在加紧产能布局。三星、SK海力士、美光三大存储巨头持续加码先进存储研发与产线建设，同时加速供应链区域化布局，在美国、东南亚、印度等地落地封测、制造项目，分散供应链风险。但晶圆制造产能建设周期漫长，先进存储良率提升同样需要时间，行业很难在一两年之内快速填补巨大的供给缺口。