SK海力士,考虑租赁英特尔美国工厂

来源:半导纵横发布时间:2026-09-16 17:22
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相关讨论尚处于初期阶段,两家企业暂未敲定具体计划,俄亥俄工厂将要生产的存储器品类也尚未确定。

据报道,多名消息人士透露,SK海力士正考虑租赁英特尔在美国俄亥俄州建设中的部分半导体工厂,方案中也讨论联合有意采购存储器的大型云厂商,共同成立三方合资公司。相关讨论尚处于初期阶段,两家企业暂未敲定具体计划,俄亥俄工厂将要生产的存储器品类也尚未确定。

SK海力士表示:“公司正在研讨多种方案,包括扩充生产基地,以此强化存储器业务竞争力,但目前没有任何已定事项。”

但这一方案想要推进有个关键的变数,那就是国家核心技术是否存在对外转移风险。如果高带宽存储器(HBM)以及先进DRAM相关技术被认定为国家核心技术,则需要经过韩国政府审查。韩国产业部表示:“该事项由企业自行判断,但如果涉及国家核心技术,就必须按照《产业技术保护法》接受审查。”

高昂的生产成本同样是待解决难题。美国的人力与建厂成本高于韩国,半导体材料、零部件、设备供应链又集中在亚洲,会推高美国本土生产成本。美国政府一直在推动半导体企业扩大本土产能。美国商务部长霍华德・卢特尼克曾提及,对于不承诺在美国本土生产的韩国企业,最高可征收100%关税。

SK集团会长崔泰源在今年7月接受采访时表示,出于扩充产能、应对贸易压力两大核心考量,SK海力士正规划在美国新建半导体工厂。他表示,目前存储芯片价格高得反常。AI企业尚可通过自身投资消化成本上涨,但PC、手机厂商只能将芯片涨价成本转嫁至终端产品。这类产品的消费群体以普通消费者为主,终端售价上调空间十分有限。为避免出现芯片通胀,行业必须增加供给。同时他透露,“目前团队正在全球筛选建厂选址,摸排全球所有可行地块,对比各地建厂条件、建设速度与产能规模,择优快速落地新建工厂。”

英特尔2022年宣布,计划在俄亥俄州投入最高1000亿美元打造半导体生产基地。但受经营困境影响,工厂完工时间推迟至2030—2031年。若SK海力士租赁该厂区,英特尔能够减轻一部分建厂资金压力。因此,SK海力士需要同时兼顾韩美两国政府政策。美国以关税施压,要求企业本土制造;韩国政府一边推进本国半导体产能建设,一边将企业赴美投资作为两国谈判筹码。

值得一提的是,SK海力士目前有多个在建项目,首先是龙仁半导体集群:600万亿韩元,将龙仁打造为全球AI存储生产基地。原定2045年完工的4座工厂,将全部提前12年到2033年完成(首座已提前到2027年5月竣工)。目前,首座工厂已于2025年2月全面动工,主体结构基本建成。

其次是清州基地,100万亿韩元。 用于新建NAND晶圆厂、引入生产设备、加强HBM后端先进封装能力。其中下一代先进封装工厂(P&T7)投资约19万亿韩元,预计2027年底完工。

第三是西南地区新集群,400万亿韩元。在韩国西南部的光州、全罗南道一带建设新的存储前端制程集群,主要做存储芯片前端制程。选址尚未确定,但相关准备工作立即开始。

第四是美国普渡大学园区工厂,2024年动工,投资约38.7亿美元,专注于HBM先进封装,2028年投产,这是SK海力士首次在美国本土建厂。

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